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集成电路工艺原理试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题

1.在硅晶体中，原子最紧密的排列方式属于哪种晶格结构？

A.面心立方

B.体心立方

C.密排六方

D.简单立方

2.下列哪种掺杂元素属于受主杂质？

A.磷(P)

B.砷(As)

C.锑(Sb)

D.锗(Ge)

3.热氧化过程中，在(100)硅晶面的氧化层生长速率约为(111)面的多少倍？

A.0.4倍

B.0.7倍

C.1倍

D.1.4倍

4.光刻工艺中，定义最小可分辨线宽（LDEP）的主要限制因素是？

A.光源波长

B.硅的导电性

C.氧化层厚度

D.扩散结深

5.下列哪种材料通常用作栅介质？

A.SiO?

B.Si?N?

C.多晶硅

D.铝(Al)

6.离子注入工艺中，改变离子注入能量主要影响什么？

A.注入离子在硅中的射程

B.注入离子的剂量

C.注入离子的种类

D.注入设备的成本

7.在薄膜沉积工艺中，物理气相沉积（PVD）与化学气相沉积（CVD）的主要区别在于？

A.成膜材料不同

B.沉积速率不同

C.能源形式不同

D.所需真空度不同

8.以下哪种工艺环节是用于去除不需要的固体材料的？

A.氧化

B.扩散

C.光刻

D.刻蚀

9.外延工艺的主要目的是什么？

A.氧化硅层

B.在单晶衬底上生长单晶薄膜

C.注入离子形成掺杂层

D.沉积金属互连线

10.MOSFET晶体管中，形成导电沟道的关键因素是？

A.源极和漏极的掺杂浓度

B.栅极电压对半导体导电类型的影响

C.栅氧化层的厚度

D.衬底的电阻率

二、填空题

1.硅的禁带宽度约为________eV。

2.n型半导体中，主要的载流子是________和________。

3.热氧化过程中，SiO?的化学式为________。

4.光刻胶根据其化学性质分为正胶和________两种。

5.形成硅栅的典型材料是________。

6.离子注入后，需要通过________工艺来激活注入的杂质。

7.常用的化学机械抛光(CMP)技术主要去除的是________。

8.Si?N?薄膜通常用作________层或________层。

9.刻蚀工艺根据其作用机理可分为干法刻蚀和________刻蚀。

10.集成电路制造过程中，金属铝通常用作________。

三、简答题

1.简述扩散工艺的基本原理及其在半导体器件制造中的作用。

2.解释什么是选择性氧化，并说明其在MOSFET制造中的意义。

3.简述光刻工艺的主要步骤，并说明其中影响图形转移精度的关键因素。

4.离子注入工艺中，什么是注入的射程和射程散布？它们分别受哪些因素影响？

四、计算题

1.假设进行磷离子注入，能量为50keV，注入的剂量为1×101?cm?2。已知该能量下磷离子的射程R≈4.5μm，射程散布σ≈0.3μm。请计算注入后，距离硅表面3μm深处预期形成的n型掺杂层的浓度梯度（假设杂质完全激活，无横向扩散）。说明计算所依据的假设。

2.在常压热氧化条件下，SiO?的氧化生长速率为20nm/min。现在需要生长一层厚度为0.18μm的SiO?层。请问需要加热氧化多长时间？(假设氧化层生长速率与时间成正比，忽略初期成核时间。)

五、论述题

论述硅栅MOSFET工艺流程中，氧化、光刻和刻蚀这三个关键工艺单元之间的相互依赖关系和影响。

试卷答案

一、选择题

1.C

解析：硅晶体属于金刚石立方结构，其密排面为(111)，对应的晶格结构是密排六方。

2.D

解析：锗（Ge）与硅同属第四主族元素，在硅中替代Si原子后，多余的价电子成为自由电子，表现为受主杂质。磷(P)、砷(As)、锑(Sb)属于第五主族，替代Si后缺少电子，表现为施主杂质。

3.B

解析：根据氧化层生长的对称性规律，(100)面的氧化层生长速率约为(111)面的0.7倍。

4.A

解析：根据瑞利极限公式，最小可分辨线宽LDEP与光源波长λ成正比，与数值孔径NA成反比（LDEP≈0.61λ/NA），其中NA受限于光