北京理工大学《模拟电子技术》笔记-期末复习.pdfVIP

1《模拟电子技术》期末复习

1.考试时间：12月30日（周三）

2.考试要求：

半开卷考试，每人可带1张A4纸

请携带：证件、计算器、尺子及橡皮

北京理工大学

2模拟电子技术知识结构

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放大电路的频响¸÷ÖÖ·Å´óÆ÷¸÷ÖÖ·Å´óÆ÷µÄÓ¦ÓÃ

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3第1章半导体基础和二极管

一、杂质半导体与PN结；

（P型、N型等基本概念）

二、半导体二极管的主要特性

1.单向导电性（习题1-8）

2.温度敏感特性、电容效应

三、半导体二极管的主要参数

四、半导体二极管的等效模型

恒压源模型

4第2章双极型晶体管和基本放大电路

一、双极型晶体管的种类、符号：PNP、NPN

二、放大电路的组成原理及正常工作条件

习题2-4，7

1.静态工作点Q：e结正偏，c结反偏。

2.交流信号的正常引入与输出

三极管能否正常放大判断

3.工作状态判断（放大区、截止区与饱和区）

2-4：在放大电路中测得晶体管各电极对地的直流电压如下所

5

列，确定它们各为哪个电极，晶体管是NPN型还是PNP型？

A：U=12V，U=11.7V，U=6V

XYZ

B：U=-5.2V，U=-1V，U=-5.5V

XYZ

解题思路：晶体管工作在放大区时发射结正偏、

集电结反偏。

PNP

NPN

UUU

cbeUUU

ebc

0.3V锗管0.3V锗管