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石河子大学2020—2021学年第一学期考试卷
（A）卷
课程名称：模拟电子技术考试时间：120分钟考试方式：闭卷
学生姓名：学号：教学班级：教学小班序号：
题号一二三四五六七八九十总分
题分20103535100
装
得分
O
(220)
一、选择题每题分，共分，结果填在前面括号里
得分
[]1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于。
A温度B掺杂工艺C杂质浓度D晶体缺陷
[]2、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A减小B增大C不变D无法确定
[]3、场效应管工作时由参与导电。
A少子B多子C正离子D负离子
[]4、当双极型晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，其工作状态处于。
订A放大区B饱和区C倒置区D截止区
[]5、在共发射极晶体管放大电路中，若静态工作点设置过高，在输入信号增大
O时放大电路会首先产生。
A交越失真B饱和失真C截止失真D不能确定的失真
[]6、共模抑制比KCMR越大，表明电路。
A输入信号中的差模成份越大
B抑制温漂能力越强
C交流放大倍数越大
D放大倍数越稳定
[]7、三级放大电路中A10dB，A40dB，A30dB，则总的电压增益为。
u1u2u3
线A80dBB90dBC100dBD120dB
[]8、对于单管共射放大电路，当f＝fH时，U与U相位关系是。
Ooi
A－45˚B－135˚C－180˚D－225˚
[]9、请判断，在下列描述中
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