北京交通大学《模拟电子技术》2019--2020学年期末试卷.pdfVIP

北京交通大学《模拟电子技术》2019--2020学年期末试卷.pdf

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北京交通大学考试试题A

课程名称:模拟电子技术2019-2020学年第二学期出题教师:刘颖

班级:电信学院18级全体学生姓名_________学号_________

题号一二三四五六七八总分

得分

阅卷人

一、选择填空题(10分)(答案为黑体)

1.双极型三极管是通过空穴和自由电子导电,NMOS场效应管是通过

导电。

a.仅通过空穴b.仅通过自由电子

c.通过空穴和自由电子d.通过空穴或自由电子

2.PN结在加正向电压时,PN结的厚度。

a.变厚b.变薄c.不变d.有变化

3.晶体管工作在放大区时,具有如下特点______________。

a.发射结正偏,集电结反偏。b.发射结反偏,集电结正偏。

c.发射结正偏,集电结正偏。d.发射结反偏,集电结反偏。

4.放大电路在高频信号作用下的电压放大倍数下降的主要原因是存在

_________。

a.耦合电容b.旁路电容c.耦合和旁路电容d.三

极管极间电容

5.单管CE组态放大电路静态工作点设置过高(UCEQ过高),则输出电压波形容

易出现_____。

a.饱和失真b.截止失真c.双向失真

6.工作在放大区的某三极管,如果当IB从14μA增大到16μA时,IC从1mA变

为2mA,那么它的β约为________。

a.71b.100c.125d.500

7.当场效应管的漏极电流ID从3mA变为4mA时,它的低频跨导gm将_______。

a.变大b.变小c.不变

8.测得某放大电路中MOS管的三个电极的电位分别为US=-5V,UG=-3V,

UD=3V,UGS,th为开启电压,UGS,th=4V,此时MOS管工作在_________。

a.截止区b.恒流区c.可变电阻区d.击穿区

9.检修某台无使用说明书的电子设备时,测得其一支三极管各极的对地电压分

别为

UA=-0.7V,UB=-1.5V,UC=0V,经判断该三极管工作在_________。

a.截止区b.放大区c.饱和区d.击穿区

2u

10.若单相桥式全波整流电路的输入交流信号有效值为ue,峰值为e,则输

出电压的平均值为_________。

a.0.45ueb.0.9uec.0.64ued.1.3ue

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