电子束蒸发原位退火制备MgB₂超导薄膜及其物性的深度剖析.docxVIP

电子束蒸发原位退火制备MgB?超导薄膜及其物性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

超导材料，作为一种在特定温度下电阻降为零且能完全排斥磁力线的特殊材料，自1911年被发现以来，就一直是凝聚态物理和材料科学领域的研究热点。超导材料的零电阻特性使其在电力传输中能极大地减少能量损耗，完全抗磁性则使其在磁悬浮、超导储能等领域展现出独特的应用价值。随着研究的不断深入，高温超导材料的出现更是为超导技术的广泛应用带来了新的机遇。然而，目前高温超导材料的应用仍面临着诸多挑战，如制备工艺复杂、成本高昂等。

MgB?超导薄膜作为一种新型的超导材料，具有许多独特的优势。首先，MgB?的超导转变温度高达39K，是目前已知的非铜氧化物超导体中转变温度最高的。这一特性使得MgB?超导薄膜在液氮温区（77K）即可实现超导态，大大降低了制冷成本，为其实际应用提供了可能。其次，MgB?的晶体结构简单，由镁原子和硼原子组成，原料丰富且价格低廉，这使得MgB?超导薄膜的大规模制备成为可能。此外，MgB?超导薄膜还具有较高的临界电流密度和上临界磁场，在超导电子学、超导磁体等领域具有广阔的应用前景。

在超导电子学领域，MgB?超导薄膜可用于制备超导量子干涉器件（SQUID）、超导微波器件等。SQUID是一种极其灵敏的磁传感器，可用于生物磁学、地质勘探、无损检测等领域。超导微波器件则具有低损耗、高频率等优点，可用于通信、雷达等领域。在超导磁体领域，MgB?超导薄膜可用于制备高场超导磁体，用于核磁共振成像（MRI）、粒子加速器等。

目前，制备MgB?超导薄膜的方法主要有脉冲激光沉积法、磁控溅射法、分子束外延法、电子束蒸发法等。其中，电子束蒸发原位退火生长方法具有独特的优势。该方法通过电子束加热蒸发源，使镁和硼原子蒸发并沉积在衬底上，形成先驱膜。然后，在原位对先驱膜进行退火处理，使其结晶形成MgB?超导薄膜。这种方法可以精确控制薄膜的成分和厚度，制备出高质量的MgB?超导薄膜。同时，原位退火处理可以避免薄膜在后续处理过程中受到污染，提高薄膜的超导性能。

研究电子束蒸发原位退火生长MgB?超导薄膜及其物性，对于深入了解MgB?超导薄膜的生长机制和超导特性具有重要意义。通过优化制备工艺，可以提高MgB?超导薄膜的质量和性能，为其实际应用提供技术支持。此外，对MgB?超导薄膜物性的研究，也有助于揭示超导材料的微观机理，为新型超导材料的研发提供理论基础。

1.2MgB?超导体概述

2001年，日本科学家秋光纯（Akimitsu）领导的研究小组在探索新型超导材料时，意外发现了MgB?的超导电性，其超导转变温度高达39K，这一发现打破了传统超导理论的某些限制，为超导领域的研究注入了新的活力，也引发了全球科研人员对MgB?超导体的广泛关注和深入研究。

MgB?晶体具有独特的AlB?型六方晶格结构，空间群为P6/mmm。在这种结构中，硼原子（B）呈石墨蜂窝状平面排列，形成二维的B平面，这些平面沿c轴方向层层堆叠；而镁原子（Mg）则以一定规律插入在相邻的B平面之间。这种结构使得MgB?具备了一些特殊的物理性质。B原子之间通过共价键相互连接，形成了稳定的蜂窝状结构，这对电子的运动和相互作用产生了重要影响；Mg原子则以离子键的形式与B平面相互作用，为体系提供了额外的电子，对超导特性的形成起到了关键作用。

MgB?超导体具有一系列显著的超导特性，使其在超导领域展现出独特的优势和应用潜力。其超导转变温度（Tc）高达39K，是当时已知的非铜氧化物超导体中转变温度最高的。与传统低温超导材料相比，MgB?的转变温度有了显著提高，这使得它在液氮温区（77K）即可实现超导态，大大降低了制冷成本，为其实际应用提供了更为便利的条件。

MgB?超导体具有较高的临界电流密度（Jc）和上临界磁场（Hc2）。在零场条件下，其临界电流密度可达10?A/cm2量级，这意味着MgB?能够承载较大的超导电流而不失去超导性能；上临界磁场也较高，可达14-39T之间，这使得MgB?在高磁场环境下仍能保持超导态，适用于一些对磁场要求较高的应用场景，如超导磁体等。

MgB?还具有较大的相干长度（ζ~5-6nm），这一特性使得MgB?在超导应用中具有更好的性能稳定性和均匀性。较长的相干长度意味着电子对在超导体内的关联范围更大，能够更有效地抵抗外界干扰，保持超导态的稳定性。此外，MgB?的晶界不存在弱连接问题，这使得它在多晶材料中也能保持较好的超导性能，有利于大规模制备和应用。

1.3研究目标与内容

本研究旨在通过电子束蒸发原位退火方法，制备出高质量的MgB?超导薄膜，并对其物性进行深入研究，揭示其生长机制和超导特性，为MgB?超导薄膜