2025年大学（微电子科学与工程）半导体器件物理毕业综合测试试题及答案.docVIP

2025年大学（微电子科学与工程）半导体器件物理毕业综合测试试题及答案

（考试时间：90分钟满分100分）

班级______姓名______

第I卷（选择题共30分）

答题要求：本卷共6题，每题5分。每题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。请将正确答案填写在题后的括号内。

1.以下哪种半导体材料的电子迁移率最高？（）

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.碳化硅

2.对于PN结，当外加正向电压时，以下说法正确的是（）

A.耗尽层变宽，电流很小

B.耗尽层变窄，电流很小

C.耗尽层变宽，电流很大

D.耗尽层变窄，电流很大

3.金属与半导体接触形成肖特基势垒时，以下哪种情况会使势垒高度降低？（）

A.增加金属的功函数

B.增加半导体的掺杂浓度

C.降低半导体的温度

D.减小金属与半导体的接触面积

4.以下哪种半导体器件具有放大作用？（）

A.二极管

B.电阻

C.三极管

D.电容

5.MOSFET的阈值电压与以下哪些因素有关？（）

A.栅极材料

B.衬底掺杂浓度

C.氧化层厚度

D.以上都是

6.对于集成电路中的互连线，以下哪种材料的电阻率较低？（）

A.铝

B.铜

C.钨

D.钛

第II卷（非选择题共70分）

二、填空题（共20分）

答题要求：本大题共5个空，每空4分。请将答案填写在题中的横线上。

1.半导体中载流子的散射机制主要有________________、________________和________________。

2.理想PN结的电流-电压关系遵循________________方程。

3.双极型晶体管的电流放大倍数β与________________和________________有关。

4.MOSFET按导电沟道类型可分为________________和________________。

5.集成电路制造工艺中的光刻技术主要用于________________。

三、简答题（共20分）

答题要求：本大题共2题，每题10分。简要回答问题，要求语言简洁、准确。

1.简述半导体中杂质能级的形成及其对半导体性能的影响。

2.说明MOSFET的工作原理，包括导通和截止状态的情况。

四、分析题（共15分）

答题要求：本题给出一段关于半导体器件性能分析的材料。阅读材料后，回答问题，要求分析准确、逻辑清晰。

材料：研究人员对一种新型半导体器件进行了测试。在不同温度下测量了该器件的电流-电压特性。发现随着温度升高，器件的反向电流增大，正向导通电压略有降低。同时，对器件的频率响应进行了测试，发现高频下器件的增益有所下降。

问题：请分析温度和频率对该半导体器件性能的影响，并说明原因。（150字到200字）

五、综合题（共15分）

答题要求：本题给出一个关于集成电路设计的实际问题。要求结合所学知识，综合分析并解决问题，解答过程要有详细的步骤和说明。

材料：设计一个简单的CMOS反相器集成电路。已知电源电压VDD=5V，要求反相器的输入高电平VinH=3.5V，输入低电平VinL=1.5V，输出高电平VoutH≥4.5V，输出低电平VoutL≤0.5V。CMOS反相器由PMOS管和NMOS管组成，PMOS管的阈值电压Vtp=-1V，NMOS管的阈值电压Vtn=1V。

问题：计算PMOS管和NMOS管的宽长比（W/L），并说明设计过程。（150字到200字）

答案：

一、1.C2.D3.B4.C5.D6.B

二、1.晶格散射、杂质散射、电离杂质散射2.肖克莱3.基区宽度、发射区与基区杂质浓度比4.N沟道MOSFET、P沟道MOSFET5.图形转移

三、1.杂质原子进入半导体后，其外层电子与半导体原子的外层电子形成束缚状态，从而在禁带中产生杂质能级。施主杂质能级提供电子，受主杂质能级接受电子，影响半导体的载流子浓度和导电类型等性能。

2.MOSFET工作时，栅极电压控制沟道的形成与消失。当栅极电压大于阈值电压时，形成导电沟道，器件导通；当栅极电压小于阈值电压时，沟道消失，器件截止。通过改变栅极电压可控制漏极电流大小，实现信号放大或开关功能。

四、温度升高使器件反向电流增大，是因为热激发载流子增多。正向导通电压降低，是由于载流子迁移率随温度升高略有增加。高频下增益下降，是因为器件内部电容等因素影响了信号传输，导致相移和衰减增加。

五、首先根据反相器的电压要求计算出PMOS管和NMOS管的导通电阻。设NMOS管宽长比为（W/L）n，PMOS管宽长比为（W/L）p。由VoutH和VoutL的要求列出方程求解。