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**模拟电子技术基础3.4场效应管的主要参数及小信号等效模型**场效应管的主要参数及小信号等效模型1.场效应管的主要参数（1）性能参数①饱和漏极电流IDSS当uGS=0，管子出现预夹断时的漏极电流。②夹断电压UpuDS为某一定值而iD减小到某一微小电流时所需的uGS值。③开启电压UTuDS为某一定值，使iD等于某一微小电流时所需的最小uGS值。**场效应管的主要参数及小信号等效模型⑤低频跨导gmgm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力。④直流输入电阻RGS栅源间所加直流电压与产生的栅极直流电流之比。（2）极限参数①最大漏极电流IDM是管子在工作时允许的最大漏极电流。**场效应管的主要参数及小信号等效模型③漏源击穿电压U(BR)DS是漏、源极间所能承受的最大电压，即uDS增大到使iD开始急剧上升时的uDS值。④栅源击穿电压U(BR)GS是栅、源极间所能承受的最大电压。对于结型场效应管，是栅极与沟道间PN结的反向击穿电压，对于MOS管，是使绝缘层击穿时的电压。②最大耗散功率PDMPDM=uDSiD，与晶体管的PCM相似。一个管子的PDM确定后，可在输出特性曲线上画出它的临界损耗线。**场效应管的主要参数及小信号等效模型2.场效应管的小信号等效模型（1）表示场效应管特性参数的方程iD=f(uGS，uDS)Q点附近gm、rds为常数。用交流正弦量的有效值可表示为：令，**场效应管的主要参数及小信号等效模型（2）场效应管微变等效电路（3）工作点处跨导gm的估算①结型场效应管或耗尽型MOS管由及有**场效应管的主要参数及小信号等效模型故工作点处的跨导②增强型MOS管同理：河北师范大学职业技术学院河北师范大学职业技术学院
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