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探索GaN材料P型掺杂：机理剖析与创新方法研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，从第一代的锗（Ge）、硅（Si）材料，到第二代的砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）化合物半导体材料，再到如今备受瞩目的以氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，每一次的革新都极大地推动了半导体技术的进步，为人类社会的发展带来了深远影响。

氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的典型代表，具备众多优异的特性。它拥有宽的直接带隙，这使得其在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面展现出独特的优势。以光电子领域为例，其禁带宽度覆盖整个可见光及紫外光谱范围，这一特性使其成为制造蓝、绿、紫和