Ⅲ-Ⅴ族氮化物极性调控策略及其对紫外LED性能优化的深度剖析.docx

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2026-01-19 发布于上海
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Ⅲ-Ⅴ族氮化物极性调控策略及其对紫外LED性能优化的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体领域，Ⅲ-Ⅴ族氮化物凭借其独特的物理性质，如宽禁带、高击穿电场、高热导率等，占据着举足轻重的地位，是制作高性能光电子器件、高频电子器件以及电力电子器件的关键材料。Ⅲ-Ⅴ族氮化物主要包含氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、氮化铟（InN）及其合金，这些材料的禁带宽度范围较广，从InN的约0.7eV到AlN的6.2eV，这使得它们在紫外到可见光乃至红外光电器件应用中展现出巨大潜力。例如，GaN基蓝光发光二极管（LED）的发明革新了照明领域，开启了高效节能照明的新时代