CN120282663A 显示基板及其制备方法、显示装置 （京东方科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120282663A(43)申请公布日2025.07.08

(21)申请号202510344694.9

(22)申请日2021.05.28

(66)本国优先权数据

PCT/CN2021/0739572021.01.27CN

(62)分案原申请数据

202180001335.32021.05.28

(71)申请人京东方科技集团股份有限公司

地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号

(72)发明人郑灿王丽韩龙朱健超刘利宾

(74)专利代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司11262

专利代理师曲鹏

(51)Int.CI.

H10K59/121(2023.01)

H10K59/131(2023.01)

GO9G3/3266(2016.01)

G09G3/3225(2016.01)

权利要求书3页说明书21页附图11页

(54)发明名称

显示基板及其制备方法、显示装置

(57)摘要

CN120282663A一种显示基板及其制备方法、显示装置。所述显示基板包括基底和多个子像素，至少一个子像素包括像素驱动电路和连接所述像素驱动电路的发光器件，所述像素驱动电路至少包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第五晶体管、存储电容和阈值电容，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第五晶体管中的至少一个晶体管包括有源层和两个栅电极；所述基底上设置有半导体层以及设置在所述半导体层远离所述基底一侧的多个导电层，至少一个

CN120282663A

CN120282663A权利要求书1/3页

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1.一种显示基板，所述显示基板包括基底和多个子像素，至少一个子像素包括像素驱动电路和连接所述像素驱动电路的发光器件，所述像素驱动电路至少包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第五晶体管、存储电容和阈值电容，所述存储电容包括存储电容第一极板和存储电容第二极板，所述阈值电容包括阈值电容第一极板和阈值电容第二极板；所述第一晶体管的第一极与数据信号线连接，所述第一晶体管的第二极与第三节点连接，所述第二晶体管的第一极与第一节点连接，所述第二晶体管的第二极与第四节点连接，所述第三晶体管的栅电极与第一节点连接，所述第三晶体管的第一极与第一电源线连接，所述第三晶体管的第二极与第四节点连接，所述第五晶体管的第一极与第一电源线连接，所述第五晶体管的第二极与第二节点连接；所述存储电容第一极板与所述第三节点连接，所述存储电容第二极板与所述第二节点连接，所述阈值电容第一极板与所述第一节点连接，所述阈值电容第二极板与所述第二节点连接；所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第五晶体管中的至少一个晶体管包括有源层和两个栅电极；所述基底上设置有半导体层以及设置在所述半导体层远离所述基底一侧的多个导电层，至少一个导电层设置有至少一个电极板，所述电极板在所述基底上的正投影与位于所述两个栅电极之间的有源层在所述基底上的正投影存在重叠区域。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述多个导电层包括依次设置在所述半导体层远离所述基底一侧的第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述电极板设置在所述第一导电层、第二导电层或第三导电层上。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，至少一个电极板与所述第一电源线连接。

4.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述存储电容第一极板和阈值电容第一极板设置在所述第一导电层上，所述存储电容第一极板和阈值电容第一极板间隔设置，所述存储电容第一极板在所述基底上的正投影与所述半导体层在所述基底上的正投影不交叠。

5.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述存储电容第二极板和阈值电容第二极板设置在所述第二导电层上，所述存储电容第二极板和阈值电容第二极板相互连接，所述存储电容第二极板在所述基底上的正投影与所述存储电容第一极板在所述基底上的正投影存在重叠区域，所述阈值电容第二极板在所述基底上的正投影与所述阈值电容第一极板在所述基底上的正投影存在重叠区域。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第五晶体管为双栅晶体管，所述第五晶体管至少包括第五有源层和两个第五栅电极；所述电极板包括第一电极板，所述第一电极板在所述基底上的正投影与位于两个第五栅电极之间的第五有源层在所述基底上的正投影存在重叠区域。

7.根据权利