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晶体硅太阳能电池试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分。请将正确选项的字母填在题后的括号内）

1.晶体硅太阳能电池能够将光能转化为电能的核心物理基础是？

A.法拉第电解定律

B.光电效应

C.奥斯特发现电磁感应

D.焦耳定律

2.在硅的P-N结中，扩散运动主要是由什么驱动的？

A.电场力

B.浓度梯度

C.热运动

D.核力

3.为了减少光在太阳能电池表面的反射损失，通常会在电池表面制作？

A.耗尽层

B.扩散层

C.减反射层

D.P-N结

4.下列哪种材料通常被用作晶体硅太阳能电池的背电极？

A.铝（Al）

B.铟锡氧化物（ITO）

C.铜（Cu）

D.银浆（Ag）

5.太阳能电池的短路电流（Isc）主要由什么决定？

A.开路电压

B.填充因子

C.光照强度和电池的光电转换效率

D.电池的内阻

6.提高太阳能电池填充因子（FF）的主要途径是？

A.增大开路电压（Voc）

B.增加短路电流（Isc）

C.减小串联电阻和增大并联电阻

D.提高光生载流子寿命

7.衡量太阳能电池性能最核心的指标是？

A.开路电压（Voc）

B.短路电流（Isc）

C.填充因子（FF）

D.转换效率（Eff）

8.以下哪种工艺主要目的是在硅片表面形成金字塔状结构，以增加光程和减少反射？

A.扩散

B.刻蚀

C.制绒

D.沉积

9.铝扩散工艺在晶体硅太阳能电池中主要作用是？

A.形成P型区

B.形成N型区

C.增加电池厚度

D.提供减反射功能

10.目前商业化的晶体硅太阳能电池效率最高的技术路线之一是？

A.铝背场（Al-BSF）

B.铜铟镓硒（CIGS）

C.异质结（HJT）

D.钙钛矿/硅叠层

二、填空题（每空2分，共20分。请将答案填在横线上）

1.硅的禁带宽度约为________eV。

2.太阳能电池的等效电路通常由一个理想电压源、一个串联电阻和一个______电阻组成。

3.光照在硅表面产生非平衡载流子，其中电子和空穴的复合主要通过______和______两种方式。

4.为了减少电池表面的复合损失，通常会引入______层。

5.太阳能电池的量子效率可以分为______量子效率和外部量子效率。

6.________是指单位面积、单位时间内入射的太阳辐射功率。

7.影响太阳能电池开路电压（Voc）的主要因素是内建电场和______。

8.硅片经过制绒处理后，其晶面由（100）取向转变为（______）取向的微金字塔结构。

9.丝网印刷工艺主要用于印刷电池的______和______电极。

10.晶体硅太阳能电池的封装需要考虑的主要问题是防水、防尘和______。

三、判断题（每题2分，共10分。请将“正确”或“错误”填在题后的括号内）

1.太阳能电池的光电转换效率越高，意味着其转换相同光能产生的电能越多。（）

2.N型硅的多数载流子是电子，P型硅的多数载流子是空穴。（）

3.串联电阻越小，太阳能电池的填充因子FF越大。（）

4.透光性好的减反射层可以提高电池的光电转换效率。（）

5.温度升高通常会导致硅太阳能电池的转换效率升高。（）

四、简答题（每题5分，共20分。请简要回答下列问题）

1.简述光生伏特效应的形成过程。

2.解释什么是太阳能电池的等效电路模型。

3.列举至少三种提高晶体硅太阳能电池转换效率的主要技术途径。

4.简述扩散工艺在制作晶体硅太阳能电池中的作用。

五、计算题（共20分）

1.（10分）一块面积为100cm2的太阳能电池，在标准测试条件（AM1.5，1000W/m2，25°C）下工作，测得其I-V特性曲线的短路电流Isc为8.5mA，开路电压Voc为0.6V，当施加0.5V电压时，测得通过电池的电流I为7.8mA。请计算该电池在标准测试条件下的填充因子FF和转换效率Eff。（假设电池内阻无限大，可忽略并联电阻的影响）

2.（10分）假设一个理想硅P-N结太阳能电池（忽略所有电阻和复合），其禁带宽度Eg=1.12eV，温度T=300K，内部产生的光生载流子密度为n=1×101?cm?3。