2025年（微电子科学与工程）半导体物理基础试题及答案.docVIP

2025年（微电子科学与工程）半导体物理基础试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

一、单项选择题（总共10题，每题2分）

1.半导体中起导电作用的主要是（）

A.自由电子B.空穴C.自由电子和空穴D.离子

答案：C

2.本征半导体中自由电子浓度与空穴浓度的关系是（）

A.自由电子浓度大于空穴浓度B.自由电子浓度小于空穴浓度

C.自由电子浓度等于空穴浓度D.无确定关系

答案：C

3.杂质半导体中，P型半导体的多子是（）

A.自由电子B.空穴C.施主杂质D.受主杂质

答案：B

4.当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。

A.大于B.小于C.等于D.不确定

答案：A

5.半导体的禁带宽度随温度升高而（）

A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小

答案：B

6.金属与半导体接触形成整流接触时，其接触电势差主要取决于（）

A.金属的功函数B.半导体的功函数

C.金属和半导体的功函数之差D.其他因素

答案：C

7.对于杂质半导体，温度升高时，其电阻率（）

A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小

答案：B

8.半导体中电子的有效质量（）其真实质量。

A.大于B.小于C.等于D.无确定关系

答案：B

9.当PN结外加反向电压时，空间电荷区（）

A.变窄B.变宽C.不变D.先变窄后变宽

答案：B

10.硅的本征载流子浓度在室温下约为（）

A.1.5×10^10/cm3B.1.5×10^16/cm3C.1.5×10^20/cm3D.其他值

答案：A

二、多项选择题（总共10题，每题2分）

1.半导体的特性包括（）

A.热敏性B.光敏性C.掺杂性D.绝缘性

答案：ABC

2.下列属于N型半导体杂质的是（）

A.磷B.硼C.砷D.锑

答案：ACD

3.PN结的主要特性有（）

A.单向导电性B.电容效应C.光电效应D.整流效应

答案：AB

4.半导体中电子跃迁的方式有（）

A.导带间跃迁B.杂质能级间跃迁C.带与杂质能级间跃迁D.价带间跃迁

答案：ABC

5.影响半导体导电能力的因素有（）

A.温度B.光照C.杂质D.压力

答案：ABC

6.半导体中存在哪几种散射机制（）

A.电离杂质散射B.晶格振动散射C.表面散射D.位错散射

答案：ABCD

7.以下哪些是半导体器件（）

A.二极管B.三极管C.场效应管D.电阻

答案：ABC

8.半导体的能带结构包括（）

A.价带B.导带C.禁带D.满带

答案：ABC

9.当PN结处于平衡状态时，以下说法正确的是（）

A.扩散电流等于漂移电流B.空间电荷区电场不变

C.无净电流D.电子和空穴浓度处处相等

答案：ABC

10.半导体材料的种类有（）

A.元素半导体B.化合物半导体C.有机半导体D.陶瓷半导体

答案：ABC

三、判断题（总共4题，每题5分）

1.半导体的电阻随温度升高而增大。（×）

2.P型半导体带正电，N型半导体带负电。（×）

3.本征半导体中没有自由电子和空穴。（×）

4.PN结的反向饱和电流与温度无关。（×）

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

四、填空题（总共10题，每题2分）

1.半导体中导带底附近的电子能量E和波矢k的关系为E=（）。

答案：E=E?+?2k2/2m

2.杂质半导体中，N型半导体是在本征半导体中掺入（）价杂质元素形成的。

答案：五

3.PN结的空间电荷区又称为（）。

答案：耗尽层

4.半导体的迁移率与（）和（）有关。

答案：散射机制、温度

5.当PN结外加正向电压足够大时，电流主要受（）限制。

答案：扩散电阻

6.半导体中电子的准费米能级与热平衡时费米能级的偏离程度反映了（）。

答案：非平衡载流子浓度

7.半导体光电效应分为（）和（）。

答案：内光电效应、外光电效应

8.半导体的功函数定义为（）。

答案：电子从费米能级跃迁到真空能级所需的能量

9.对于杂质半导体，杂