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2025年（微电子科学与工程）半导体制造工艺试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。每题2分，共40分。

1.半导体制造中，光刻的主要目的是（）

A.定义器件结构B.掺杂杂质C.形成金属互连D.去除多余硅

答案：A

2.以下哪种是常见的半导体掺杂剂（）

A.氧气B.铜C.硼D.水

答案：C

3.化学气相沉积（CVD）主要用于（）

A.去除光刻胶B.生长半导体薄膜C.光刻图案转移D.离子注入

答案：B

4.半导体制造中，湿法刻蚀的特点不包括（）

A.选择性好B.成本低C.可实现高精度刻蚀D.对设备要求低

答案：C

5.以下哪种材料常用于半导体衬底（）

A.玻璃B.硅C.铜D.塑料

答案：B

6.离子注入的作用是（）

A.改变半导体电学性能B.生长绝缘层C.进行光刻D.去除杂质

答案：A

7.光刻过程中，光刻胶的作用是（）

A.保护不需要刻蚀的区域B.提供刻蚀能量C.进行掺杂D.形成金属互连

答案：A

8.半导体制造中，干法刻蚀的优点是（）

A.刻蚀速度快B.对环境无污染C.成本低D.选择性差

答案：A

9.以下哪种工艺用于形成半导体器件的源极和漏极（）

A.光刻B.掺杂C.氧化D.化学气相沉积

答案：B

10.半导体制造中，退火工艺的目的是（）

A.去除杂质B.改善半导体晶体结构C.进行光刻D.生长绝缘层

答案：B

11.化学气相沉积中，常用的反应气体不包括（）

A.氢气B.氧气C.氮气D.二氧化碳

答案：D

12.半导体制造中，以下哪种检测技术用于检测芯片内部缺陷（）

A.光学显微镜B.电子显微镜C.X射线检测D.以上都是

答案：D

13.光刻分辨率主要取决于（）

A.光刻胶厚度B.曝光光源波长C.刻蚀时间D.掺杂浓度

答案：B

14.半导体制造中，以下哪种工艺用于形成金属互连（）

A.光刻B.化学气相沉积C.电镀D.以上都是

答案：D

15.以下哪种是半导体制造中的关键工艺参数（）

A.温度B.湿度C.pH值D.风速

答案：A

16.化学气相沉积过程中，反应气体在衬底表面发生（）

A.物理吸附B.化学反应C.物理蒸发D.以上都不是

答案：B

17.半导体制造中，湿法清洗的主要目的是（）

A.去除表面杂质B.生长氧化层C.进行光刻D.离子注入

答案：A

18.光刻过程中，曝光的作用是（）

A.使光刻胶发生化学反应B.去除光刻胶C.进行掺杂D.形成金属互连

答案：A

19.半导体制造中，以下哪种工艺用于制造MOSFET的栅极（）

A.光刻B.氧化C.化学气相沉积D.以上都是

答案：D

20.半导体制造中，以下哪种工艺用于制造集成电路中的电容（）

A.光刻B.化学气相沉积C.氧化D.以上都是

答案：D

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

（一）简答题（共20分）

答题要求：请简要回答问题，答案写在下方下划线区域内。每题5分，共2×5=10分。

1.简述光刻的工艺流程。

___光刻工艺流程包括：涂胶，将光刻胶均匀涂覆在衬底上；曝光，使用特定波长的光照射光刻胶，使其发生化学反应；显影，去除未曝光的光刻胶，从而在衬底上形成光刻图案。___

2.说明化学气相沉积（CVD）的原理及常见应用。

___化学气相沉积原理是将气态反应物引入反应腔室，并在衬底表面发生化学反应，生成固态薄膜沉积在衬底上。常见应用有生长半导体薄膜，如二氧化硅、氮化硅等绝缘薄膜，以及多晶硅薄膜等，用于器件的绝缘层、栅极等结构的形成。___

（二）讨论题（共20分）

答题要求：请对问题进行讨论分析，答案字数约150字。每题5分，共4×5=20分。

1.讨论湿法刻蚀和干法刻蚀在半导体制造中的优缺点及适用场景。

___湿法刻蚀优点是成本低、选择性好、对设备要求低，适用于去除大面积杂质或进行较为粗糙的刻蚀。缺点是刻蚀精度有限。干法刻蚀优点是刻蚀精度高、可实现复杂图形刻蚀，适用于高精度器件制造。缺点是成本高、对设备要求高。在实际制造中，根据具体需求选择合适的刻蚀方法。___

2.分析半导体制造中退火工艺对器件性能的影响。

___退火工艺能改善半导体晶体结构，消除晶格缺陷