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Fe(Cu)掺杂Ⅳ族基稀磁半导体薄膜：结构、磁性与性能的深度解析

一、绪论

1.1自旋电子学概述

自旋电子学（Spintronics），又被称作磁电子学，是一门新兴的学科和技术。其核心在于利用电子的自旋和磁矩，在固体器件中，除了传统的电荷输运外，还引入电子的自旋和磁矩参与信息处理等过程。电子作为电荷和自旋的双重载体，在19世纪以来，人类主要调控电子的电荷属性，由此发展起来的以半导体为基础的微电子学，奠定了第三次产业革命的基础。但随着技术发展，现行模式的微电子工业面临着器件功耗增大、制造成本增加以及量子效应限制等问题。而自旋电子学的出现，为突破这些限制带来了新的希望，有望成为下一轮信息产业革命的核心技术之一。

自旋电子学的发展历程充满了重要的里程碑。早在1980年，在固态器件中首次发现了与电子自旋有关的电子输运现象，这一发现标志着自旋电子学的萌芽。1985年，约翰逊和西尔斯比观察到铁磁金属能够把极化电子注入普通金属；同年，艾伯特?费尔蒂等和彼得?格伦伯格发现巨磁电阻效应，该效应的发现为自旋电子学的发展奠定了重要基础。1988年，法国科学家Fert小组在周期性多层膜中观察到巨磁电阻效应，当施加外磁场时，其电阻变化率高达，这一发现极大地推动了自旋电子学的研究进展。1995年，在三明治结构中观察到很大的隧道磁电阻（TunnelingMagnetoresistance，TMR）现象，开辟了自旋电子学的又一个新方向。此后，半导体自旋电子学如磁性半导体、磁性/半导体复合材料、非磁性半导体量子阱和纳米结构中的自旋现象以及半导体的自旋注入的研究变得十分活跃，极大地丰富了自旋电子学的内容。

在现代信息领域，自旋电子学占据着举足轻重的地位并拥有广阔的应用前景。以硬盘磁头为例，它是自旋电子学领域中最早商业化的产品。此外，还有众多充满潜力的应用，例如磁性随机内存，其具有数据非挥发性的特性，将大大降低功耗，可比现在半导体技术节省80%的能耗；自旋场发射晶体管，有望实现比传统硅基电路更高的集成度和能效；自旋发光二极管等。在物联网和大数据等新兴应用领域，泛在的传感器终端需要搜集数据，为节省存储功耗，使用非易失性存储器势在必行，基于自旋电子学原理的自旋随机储存器以其相对优良的性能成为热门的候选器件。自旋电子学在通信领域也具有潜在的应用价值，可能实现高速通信、低功耗能量传输等。

1.2稀磁半导体（DMSs）

1.2.1DMSs的磁性来源

稀磁半导体是指在单质或化合物半导体中，由磁性元素部分地替代宿主材料中的非磁性元素所形成的新型半导体材料。由于掺入的磁性元素浓度较低，新的半导体材料磁性通常较弱，所以称之为稀磁半导体。稀磁半导体的磁性来源涉及多种理论模型，不同的模型从不同角度解释了其磁性的产生机制，各有其适用范围和局限性。

Zener模型，也被称为载流子媒介交换作用模型，该模型认为稀磁半导体的磁性是通过载流子（电子或空穴）作为媒介，在磁性离子之间传递交换相互作用，从而导致铁磁性的产生。在（Ga，Mn）As等Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体中，取代阳离子的Mn既充当受主提供空穴载流子，又提供局域磁矩，其磁性便是通过载流子诱导产生的。Zener模型适用于解释一些具有较高载流子浓度的稀磁半导体体系，能够较好地说明载流子与磁性离子之间的相互作用对磁性的影响。但该模型存在一定局限性，它假设载流子是自由的，忽略了载流子与晶格的相互作用以及磁性离子之间的直接相互作用，在解释一些低载流子浓度或存在复杂晶格结构的稀磁半导体体系时，存在一定的困难。

双交换作用理论则认为，在具有一定晶体结构的化合物中，磁性离子之间通过中间的阴离子（如氧离子等）进行电子交换，从而产生磁相互作用。在一些过渡金属氧化物稀磁半导体中，这种双交换作用起到了重要作用。当一个磁性离子的电子通过中间阴离子转移到另一个磁性离子上时，两个磁性离子的自旋会倾向于平行排列，从而产生铁磁性。双交换作用理论适用于解释一些具有特定晶体结构和电子组态的稀磁半导体体系，特别是那些磁性离子之间通过阴离子形成化学键的情况。然而，该理论也有其局限性，它对晶体结构和电子组态的要求较为严格，对于一些结构复杂或电子态分布不均匀的体系，解释能力有限。

除了上述两种理论，还有描述绝缘体中磁性的直接交换作用和超交换作用。直接交换作用通常用于描述传统铁磁金属之间的铁磁耦合，是磁性原子间电子云的直接重叠而产生的交换作用。超交换作用，又称为间接交换作用，其特点是磁性原子间的相互作用是通过中间的阴离子间接完成的，金属氧化物、硫化物、氟族化合物以及铁氧体中的反铁磁性或亚铁磁性常用该机制来描述。超交换作用的哈密顿量可以通过海森堡模型来描述，交换积分符号取决于金属氧化物的键角和过渡金属的d电子组态。这些理论在解释不同类