反应室气压调节对Mg掺杂GaN材料性能影响的深度剖析.docx

反应室气压调节对Mg掺杂GaN材料性能影响的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的广阔领域中，氮化镓（GaN）凭借其卓越的性能脱颖而出，成为了研究与应用的焦点。随着现代科技的飞速发展，对半导体材料性能的要求日益严苛，GaN以其宽禁带、高电子迁移率、高击穿电场和良好的热稳定性等独特优势，在光电子、电力电子和射频等诸多关键领域展现出巨大的应用潜力，被誉为半导体材料的未来之星。

在光电子领域，GaN基发光二极管（LED）以其高亮度、低功耗和长寿命的特点，已广泛应用于照明、显示等领域，引领了照明技术的革命，为节能减排和绿色发展做出了重要贡献。在电力电子领域，GaN器件能够实