2025年（微电子科学与技术）半导体器件物理试题及答案.docVIP

2025年（微电子科学与技术）半导体器件物理试题及答案

第I卷（选择题，共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。每题只有一个正确答案。

1.以下哪种半导体材料属于间接带隙半导体？（）

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.以上都不是

2.半导体中施主杂质电离后向半导体中提供（）。

A.电子

B.空穴

C.不确定

D.既不提供电子也不提供空穴

3.热平衡状态下，半导体中电子浓度与空穴浓度的乘积（）。

A.等于本征载流子浓度的平方

B.大于本征载流子浓度的平方

C.小于本征载流子浓度的平方

D.与本征载流子浓度无关

4.对于P型半导体，其费米能级（）。

A.靠近导带底

B.靠近价带顶

C.在禁带中央

D.不确定位置

5.当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。

A.大于

B.小于

C.等于

D.不确定

6.以下哪种二极管不是利用PN结原理工作的？（）

A.发光二极管

B.变容二极管

C.肖特基二极管

D.稳压二极管

7.晶体管工作在放大区时，发射结（），集电结（）。

A.正偏，正偏

B.正偏，反偏

C.反偏，正偏

D.反偏，反偏

8.场效应管是通过改变（）来控制漏极电流的。

A.栅源电压

B.漏源电压

C.体偏电压

D.基极电流

9.半导体中载流子的迁移率与（）有关。

A.温度

B.杂质浓度

C.散射机制

D.以上都是

10.以下哪种半导体器件常用于高速开关电路？（）

A.双极型晶体管

B.MOS场效应管

C.晶闸管

D.光电二极管

11.半导体的本征激发是指（）。

A.价带电子跃迁到导带

B.导带电子跃迁到价带

C.施主杂质电离

D.受主杂质电离

12.当温度升高时，半导体的本征载流子浓度（）。

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

13.对于N型半导体，其多数载流子为（）。

A.电子

B.空穴

C.离子

D.不确定

14.PN结的反向饱和电流主要由（）产生。

A.少子漂移

B.多子扩散

C.杂质电离

D.本征激发

15.稳压二极管正常工作时处于（）。

A.正向导通区

B.反向截止区

C.反向击穿区

D.不确定

第Ⅱ卷（非选择题，共60分）

1.简答题（共20分）

-1.简述半导体中载流子的散射机制有哪些？（5分）

_答：半导体中载流子的散射机制主要有晶格散射和杂质散射。晶格散射是由于晶格原子的热振动引起的，温度升高时，晶格振动加剧，散射增强。杂质散射是由于杂质原子的存在，使载流子受到额外的散射作用。杂质浓度越高，散射越强。_

-2.画出PN结的能带图，并说明外加正向电压和反向电压时能带的变化情况。（7分）

_答：PN结的能带图如下：[此处可简单描述能带图的样子，如导带、价带、禁带等]。外加正向电压时，势垒降低，能带倾斜，有利于多子扩散形成电流。外加反向电压时，势垒升高，能带更加倾斜，少子漂移形成反向饱和电流。_

-3.简述晶体管的电流放大原理。（8分）

_答：晶体管工作在放大区时，发射结正偏，发射区向基区注入大量电子，形成发射极电流。这些电子在基区中扩散，由于基区很薄且掺杂浓度低，只有很少一部分电子与基区的空穴复合，形成基极电流，大部分电子扩散到集电结边缘。集电结反偏，收集扩散到集电结边缘的电子，形成集电极电流。晶体管通过基极电流对发射极电流的控制，实现了电流放大。_

2.讨论题（共20分）

-1.分析MOS场效应管中阈值电压的影响因素，并讨论如何提高阈值电压。（10分）

_答：MOS场效应管阈值电压的影响因素包括栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度、表面态密度等。栅氧化层越厚，阈值电压越高；衬底掺杂浓度越高，阈值电压越低；表面态密度越大，阈值电压越低。提高阈值电压可以通过减小栅氧化层厚度、增加衬底掺杂浓度等方法，但需要综合考虑器件的其他性能。例如减小栅氧化层厚度可能会影响器件的可靠性。_

-2.讨论半导体器件小型化过程中面临的主要问题及解决方法。（10分）

_答：半导体器件小型化过程中面临的主要问题有短沟道效应、功耗增加、散热困难等。短沟道效应会导致器件性能变差。解决方法可以采用新型材料和工艺，如高κ栅介质、应变硅技术等，以改善器件性能。对于功耗问题，可以优化电路设计，采用低功耗工艺。散热困难可以通过改进封装结构、增加散热片等方式解决。_

3.计算题（共20分）

-1.已知某半导体在温度T=300K时，本征载