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- 2026-01-20 发布于重庆
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模拟电路
题型:选择题(两分一题)判断题(一分一题)大题(5~6道)
理解→选择题和判断题
第一章绪论
了解:什么是信号、信号的频谱、模拟信号数字信号的原理,频率响应、非线性失真(频率失真、相位失真)
放大电路模型的四种增益/放大倍数(电压增益、电流增益),输入电阻、输出电阻/输入输出阻抗
P17,1.5.2、1.5.3
选择题→求输出电阻R0(有时会用到分压原理)或者求输入电阻Ri
第二章运算放大器
运算放大器的组成:输入级、中间级、输出级
输入级是什么级?——查分放大级,输入级一般是什么电路?——差分放大电路
中间级的作用:实现电压放大
输出级的作用:功率放大P19
熟悉运算放大器的符号,包括反相输入端、同相输入端和输出端
传输特性有线性区和线性区。放大器里的放大电路,首先得虚短和虚断,为了在线性区内工作,采用了负反馈的方法。
同相放大电路和反相放大电路的结构,求放大指标(放大倍数)课上的例题
第三章二极管
选择题和判断题:
PN结的特性:单向导电性
本证半导体和杂质半导体:
多子和少子的概念:
P型半导体的多子是空穴,少子是电子,N型半导体的多子是电子,少子是空穴
N型半导体掺杂五价元素,P型半导体掺杂三价元素
PN结合二极管的伏安特性曲线
反向饱和电流是少子的漂移形成的
结电容:扩散电容(正向偏置)势垒电容(反向偏置)。正向偏置时,电压增大,则扩散电容大,反向偏置,增大,则势垒电容大 P60,P61
熟悉二极管的符号,阴阳极的位置
静态模型:理想开关模型、恒压降模型、折线模型
动态模型:小信号模型(动态电阻的公式:P693.4.4)
开关电路:
判断二极管的通断:假设法,假设二极管截止,比较二极管阴极阳极的电压大小
限幅电路
P71,3.4.4 P74,3.4.7 P86,3.4.12
画图一定要画标准,数字要标完整
特殊的二极管:齐纳二极管必须工作在反向击穿区
第四章场效应三极管
Mos管的类型:共有八种(P沟道增强型mos、N沟道增强型mos、P沟道耗尽型mos、N沟道耗尽型mos)
认识mos管的符号
Mos管有三个级:源级(S)、栅极(G)、漏极(D)
栅源电压(VGS)控制漏源电流ID,即电压控制器件
增强型:无外加栅源电压(VGS)时,没有导电沟道,需达到开启电压才能导通。P沟道增强型开启电压是负电压,N沟道增强型的开启电压是正电压。N沟道VGS需要大于开启电压
耗尽型:即使无外加VGS,也存在导电沟道,通过夹断电压控制导通状态。无论增强型还是耗尽型,P沟道的夹断电压是正电压,N沟道的夹断电压是负电压。
没有输入特性曲线,因为没有输入电流→转移特性曲线
输出特性曲线被分为了三个区域——饱和区(相当于三极管的放大区)、可变电阻区、截止区,各个区的功能和特点
小信号模型:VGS控制ID,P112
gm跨导 GM=△ID/△VGS 表示栅源电压对漏源电流的控制能力(类似于三级管的β)
第五章三极管
输入特性曲线和输出特性曲线
输出特性曲线有三个区:放大区、饱和区、截止区
P162,5.2.7 三极管的放大电路,共射放大电路重中之重
共射放大电路:
求静态工作点(估算法)
Q点:VBQ、VCQ、IBQ、ICQ→算完之后需要验证:电路必须工作在放大区,不能小于0(一般都会设置在放大区)
锗一般认为0.2V或者0.3V,硅(题目中没提到也默认是硅)0.7V
求放大参数
画一下图,交流通路、小信号
求输入电阻
公式rd,P167,大概算出来的电阻应该在几百欧(可以作为检验)
基本共射电路存在零点漂移问题——基级分压式偏置电路P168,5.2.8→
发射级连接的电阻RE的作用:通过负反馈机制稳定静态工作点
在RE并联电容,电容的作用:静态时,保持RE稳定静态工作点的作用,交流时,电容短路RE,提高放大倍数,提高增益
求此电路的所有参数【熟练掌握】
共集电极、共基级、多级放大电路作为了解
P183,5.1.1判断三极管的类型(PNP型、NPN型)三极管的状态(放大、)ABC(哪个是基级,哪个是发射级,哪个是集电级),根据电压差判断
P186,5.2.8,5.2.9,分压偏置电路的计算,含有电阻以及电容,会计算静态工作点,会画小信号模型、小信号等效电路图,会计算交流参数(增益、电阻)【必须要会】
第六章频率响应
单级电路的频带宽,多级电路的频带窄
第七章模拟集成电路
认识符号、认识电阻P229斜率(斜率是R0分之1)
差分放大电路:
差分放大信号的种类【选判】:差模信号、共模信号
差分放大电路的作用:抑制零点的漂移(零飘)
什么是差模信号,什么是共模信号,什么是差模增益,什么是共模增益,什么是共模抑制比【必须知道】
四种形式:双入双出、双入单出、单入双出、单入单出
差分放大电路能够抑制共模信号的原因:电路的对称性
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