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2025年（微电子科学与工程-半导体工艺实战）半导体工艺应用实战试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。每题只有一个正确答案。

1.半导体工艺中，光刻的主要作用是（）

A.掺杂杂质B.形成电路图案C.生长氧化层D.去除多余材料

2.以下哪种气体常用于半导体刻蚀工艺（）

A.氧气B.氮气C.氢气D.氯气

3.在半导体制造中，晶圆的清洗步骤主要是为了去除（）

A.光刻胶B.杂质和污染物C.金属层D.氧化层

4.半导体工艺中，扩散工艺的目的是（）

A.改变半导体的导电类型B.去除表面氧化层C.沉积金属薄膜D.形成绝缘层

5.集成电路制造中，常用的衬底材料是（）

A.硅B.铜C.铝D.金

6.以下哪种光刻技术分辨率最高（）

A.紫外光刻B.深紫外光刻C.极紫外光刻D.光学光刻

7.半导体工艺中，化学气相沉积（CVD）主要用于（）

A.生长薄膜B.刻蚀图形C.掺杂杂质D.清洗晶圆

8.芯片封装的主要作用是（）

A.保护芯片B.提高芯片性能C.降低芯片功耗D.增加芯片面积

9.在半导体制造过程中，退火工艺的作用是（）

A.消除晶格缺陷B.沉积金属层C.刻蚀图形D.生长氧化层

10.半导体工艺中，湿法刻蚀的优点是（）

A.分辨率高B.选择性好C.成本低D.对晶圆损伤小

答案：1.B2.D3.B4.A5.A6.C7.A8.A9.A10.B

第II卷（非选择题共60分）

1.简答题（每题5分，共20分）

-（1）简述光刻工艺的基本流程。

u光刻工艺基本流程包括：晶圆表面准备，涂覆光刻胶，光刻胶曝光，显影，光刻胶固化或去除。首先要确保晶圆表面清洁，然后均匀涂覆光刻胶，通过光刻设备将掩膜版上的图案转移到光刻胶上，再进行显影得到所需图案，最后根据工艺需求对光刻胶进行固化或去除。/u

-（2）说明化学气相沉积（CVD）生长薄膜的原理。

uCVD生长薄膜原理是：将气态反应物引入反应腔室，在晶圆表面发生化学反应，生成固态产物并沉积在晶圆表面形成薄膜。气态反应物在高温、等离子体等条件下，发生分解、化合等反应，反应产物在晶圆表面吸附、扩散、凝聚，逐渐形成连续、致密的薄膜。/u

-（3）简述半导体刻蚀工艺的分类及特点。

u半导体刻蚀工艺分为干法刻蚀和湿法刻蚀。干法刻蚀具有高分辨率、高选择性等优点，能精确控制刻蚀图形；湿法刻蚀成本低、选择性好，但分辨率相对较低。干法刻蚀通过等离子体等对晶圆进行刻蚀，湿法刻蚀利用化学溶液与晶圆表面材料反应进行刻蚀。/u

-（4）解释芯片制造中掺杂工艺的重要性。

u掺杂工艺在芯片制造中很重要。通过掺杂可以改变半导体的导电类型，如掺入施主杂质形成N型半导体，掺入受主杂质形成P型半导体。还能调整半导体的电学性能，如改变载流子浓度等，从而实现芯片中不同功能区域的电学特性，为制造各种晶体管、集成电路等奠定基础。/u

2.讨论题（每题10分，共20分）

-（1）讨论半导体工艺中如何提高芯片的良品率。

u要提高芯片良品率，在光刻环节要确保光刻胶涂覆均匀，曝光参数精确控制，减少光刻胶残留等缺陷。刻蚀工艺要保证刻蚀精度和选择性，避免过度刻蚀或刻蚀不足。掺杂工艺要准确控制杂质浓度和分布。同时，要严格控制工艺环境的温度、湿度、洁净度等，减少外界因素对芯片制造的影响。对设备进行定期维护和校准，保证设备性能稳定。/u

-（2）分析未来半导体工艺发展面临的挑战及应对策略。

u未来半导体工艺发展面临缩小尺寸带来的光刻分辨率极限挑战，可通过研发更先进的光刻技术如极紫外光刻进一步突破。功耗问题也是挑战，需优化芯片架构和工艺，采用新材料降低功耗。成本方面，新设备和工艺研发成本高，可加强产学研合作，共同研发降低成本。同时，要关注半导体工艺对环境和人体健康的潜在影响，制定相应的环保和安全标准。/u

3.工艺流程题（每题10分，共20分）

-（1）请描述从晶圆开始到形成简单晶体管的半导体工艺主要流程。

u首先对晶圆进行清洗，去除表面杂质。然后进行氧化工艺，生长一层氧化层作为绝缘层。接着通过光刻和刻蚀工艺在氧化层上打开窗口。进行掺杂工艺，形成源极、漏极和栅极区域的不同导电类型半导体。再通过化学气相沉积生长栅极绝缘层和金属栅极。最后进行布线工艺，用金属薄膜连接各个晶体管元件，形成简单晶