2025年（微电子科学与技术）半导体工艺原理试题及答案.docVIP

2025年（微电子科学与技术）半导体工艺原理试题及答案

第I卷（选择题，共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

1.以下哪种半导体材料常用于制造集成电路（）

A.硅B.锗C.砷化镓D.以上都是

2.半导体工艺中，氧化层的主要作用不包括（）

A.器件隔离B.杂质扩散阻挡C.提高导电性D.作为绝缘介质

3.光刻工艺的关键步骤是（）

A.涂胶B.曝光C.显影D.以上都是

4.离子注入工艺可以用于（）

A.改变半导体材料的电学性能B.掺杂半导体C.修复半导体缺陷D.以上都是

5.以下哪种杂质类型会使半导体呈n型（）

A.施主杂质B.受主杂质C.中性杂质D.不确定

6.化学气相沉积（CVD）可以用于（）

A.生长半导体薄膜B.沉积金属层C.形成绝缘层D.以上都是

7.半导体制造中，湿法刻蚀的特点是（）

A.刻蚀速率快B.选择性好C.对图形损伤小D.以上都不对

8.退火工艺的目的是（）

A.消除半导体中的应力B.激活杂质C.改善晶体结构D.以上都是

9.以下哪种工艺用于制造晶体管的源极和漏极（）

A.氧化B.光刻C.掺杂D.刻蚀

10.半导体工艺中，光刻分辨率主要取决于（）

A.光源波长B.光刻胶性能C.掩膜版精度D.以上都是

答案：1.A2.C3.D4.D5.A6.D7.B8.D9.C10.A

第II卷（非选择题，共60分）

1.简答题（共30分）

-（1）简述半导体工艺中光刻的基本原理。（5分）

_光刻是利用光刻胶对特定波长光的感光特性，通过掩膜版将图形转移到光刻胶上，再通过显影等工艺将光刻胶上的图形转移到半导体表面，从而确定后续工艺的加工区域。_

-（2）说明离子注入工艺中离子能量和剂量对半导体的影响。（5分）

_离子能量影响离子注入的深度，能量越高注入越深。离子剂量决定了注入杂质的数量，剂量越大，注入的杂质越多，对半导体电学性能的改变越显著，如改变半导体的导电类型、电导率等。_

-（3）阐述化学气相沉积（CVD）生长半导体薄膜的过程。（5分）

_将含有薄膜组成元素的气态反应物引入反应腔，在衬底表面发生化学反应，生成固态薄膜并沉积在衬底上。反应过程中，气态反应物在衬底表面吸附、反应，形成原子或分子并逐渐聚合成薄膜。_

-（4）分析半导体工艺中湿法刻蚀和干法刻蚀的优缺点。（10分）

_湿法刻蚀优点：选择性好，对特定材料刻蚀速率快；设备简单成本低。缺点：刻蚀速率受溶液温度等影响大，对图形边缘损伤较大。干法刻蚀优点：刻蚀分辨率高，对图形损伤小；可实现各向异性刻蚀。缺点：设备复杂成本高，气体可能有污染。_

-（5）解释半导体工艺中退火的作用及常用的退火方法。（5分）

_退火作用：消除半导体中的应力，防止材料开裂；激活杂质，使杂质更好地发挥作用；改善晶体结构，提高半导体性能。常用方法：炉退火，在高温炉中进行；快速热退火，利用快速升温实现退火。_

2.讨论题（共30分）

-（1）在半导体工艺中，如何提高集成电路的集成度？（15分）

_提高集成电路集成度可以从多个方面入手。首先，不断缩小光刻技术的线宽，使器件尺寸更小，从而在相同面积上可以集成更多器件。其次，优化半导体材料和工艺，提高器件性能，减少单个器件的功耗和面积。再者，改进电路设计，采用更高效的电路架构和布局方式，合理利用芯片面积。另外，发展新型半导体工艺技术，如3D集成技术等，进一步增加集成度。_

-（2）谈谈半导体工艺中杂质控制的重要性及常用的杂质控制方法。（15分）

_杂质控制非常重要，杂质会严重影响半导体的电学性能，如改变导电类型、影响载流子浓度等，进而影响器件的性能和可靠性。常用杂质控制方法有：精确的掺杂工艺，通过控制掺杂剂的种类、剂量和分布来实现所需的杂质浓度；采用高质量的半导体材料，减少材料本身的杂质含量；在工艺过程中采取严格的净化措施，防止外界杂质引入。_

答案：

1.（1）光刻是利用光刻胶对特定波长光的感光特性，通过掩膜版将图形转移到光刻胶上，再通过显影等工艺将光刻胶上的图形转移到半导体表面，从而确定后续工艺的加工区域。

（2）离子能量影响离子注入的深度，能量越高注入越深。离子剂量决定了注入杂质的数量，剂量越大，注入的杂质越多，对半导体电学性能的改变越显著，如改变半导体的导电类型、电导率等。

（3）将含有薄膜组成元素的气态反应物引入反应