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半导体器件物理与工艺复习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题

1.在本征半导体中，当温度升高时，下列哪个物理量会增大？

A.本征载流子浓度

B.晶体中的杂质浓度

C.电导率

D.能带宽度

2.PN结加正向电压时，其耗尽层宽度的变化趋势是？

A.变宽

B.变窄

C.不变

D.先变宽后变窄

3.对于N型半导体，其多数载流子是？

A.电子

B.空穴

C.电子和空穴

D.正离子

4.稳压二极管工作在哪个区域？

A.正向导通区

B.反向截止区

C.反向击穿区

D.饱和区

5.BJT实现电流放大的基本原理是？

A.电荷在电场中的运动

B.基极电流对集电极电流的控制作用

C.耗尽层电场的调节

D.薄膜沉积过程中的掺杂控制

6.MOSFET的导电沟道是在什么条件下形成的？

A.栅极电压低于开启电压

B.栅极电压高于开启电压

C.源极和漏极之间有固定电压差

D.沟道材料本身具有导电性

7.在半导体器件制造中，热氧化工艺主要目的是什么？

A.沉积金属薄膜

B.形成二氧化硅绝缘层

C.注入离子杂质

D.进行光刻图案转移

8.离子注入工艺相比于扩散工艺，其主要优点之一是？

A.能量更低

B.掺杂浓度更低

C.可以精确控制掺杂深度

D.设备成本更低

9.光刻工艺中，曝光和显影环节的顺序是？

A.显影、曝光

B.曝光、刻蚀

C.曝光、显影

D.刻蚀、曝光

10.对于一个正常工作的BJT，要使其工作在放大区，发射结和集电结的偏置状态通常是？

A.发射结反偏，集电结反偏

B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结正偏

D.发射结正偏，集电结正偏

二、填空题

1.半导体中的能带理论解释了电子存在________和________两个区域。

2.PN结两侧存在电位差，称为________电位。

3.双极结型晶体管(BJT)有________个P型和N型区，分别称为发射区、基区和集电区。

4.场效应晶体管(FET)通过改变________电压来控制导电沟道的宽度和器件的导电性能。

5.MOSFET根据其沟道类型可分为________型和________型。

6.在半导体工艺中，常用的掩模版材料是________。

7.离子注入后，通常需要进行________退火，以降低晶体缺陷并激活掺杂元素。

8.形成反型层所需的栅极电压称为________电压。

9.耗尽层是指PN结内由于扩散和复合导致________浓度接近零的区域。

10.半导体器件制造中，将图形从掩模版转移到衬底表面的过程称为________。

三、简答题

1.简述漂移电流和扩散电流的形成机制及其方向。

2.解释什么是内建电场，并说明其产生原因。

3.简述BJT实现电流放大的外部条件。

4.简述MOSFET从关断状态到导通状态，栅极电压需要满足什么条件以及其物理原因。

四、计算题

1.一个硅PN结，其内建电位差Vo=0.7V。当外加一个2V的正向电压时，假设耗尽层宽度近似线性变化，且零偏时耗尽层宽度Wo=10μm。忽略扩散层宽度，计算此时耗尽层总宽度大约变为多少微米？(提示：可以使用耗尽层近似公式，并考虑正向偏压下耗尽层展宽主要发生在N区或P区)

2.一个N沟道增强型MOSFET，其开启电压Vth=0.5V。当栅极电压Vg=3V，源极电压Vs=0V，漏极电压Vd=2V时，假设器件工作在饱和区。已知饱和区电流公式为Id=(μnCox(W/L)(Vg-Vth-Vd/2))，其中μn=400cm2/Vs，Cox=100nF/cm2，W/L=10(即沟道长度L=0.1μm)。计算此时漏极电流Id的大小。

五、论述题

简述制造一个N沟道MOSFET器件的主要工艺步骤，并简要说明每一步的目的。

试卷答案

一、选择题

1.C

2.B

3.A

4.C

5.B

6.B

7.B

8.C

9.C

10.B

二、填空题

1.禁带，导带

2.内建

3.三

4.栅极

5.增强型，耗尽型

6.光刻胶

7.热退火

8.开启

9.载流子（或电子/空穴）

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