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2025年（微电子科学与工程）芯片制造试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：本卷共20小题，每题2分。在每题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。请将正确答案填涂在答题卡相应位置。

1.芯片制造中，光刻技术的主要作用是（）

A.刻蚀芯片表面B.绘制电路图案C.掺杂杂质D.连接电路

2.以下哪种材料常用于芯片制造的衬底（）

A.铜B.硅C.金D.塑料

3.芯片制造过程中，氧化层的作用不包括（）

A.保护芯片B.作为绝缘层C.参与电路形成D.增加芯片重量

4.掺杂工艺是为了改变半导体的（）

A.颜色B.硬度C.导电性D.透明度

5.集成电路中，CMOS工艺的优势是（）

A.速度快B.功耗低C.成本低D.制造简单

6.芯片制造中，刻蚀工艺的精度通常用（）来衡量。

A.纳米B.微米C.毫米D.厘米

7.以下哪个步骤不属于芯片制造的前端工艺（）

A.光刻B.封装C.掺杂D.氧化

8.用于芯片制造的光刻机光源波长越短，其（）

A.分辨率越低B.分辨率越高C.成本越低D.速度越快

9.芯片制造中，互连工艺主要是连接（）

A.不同芯片B.芯片与电路板C.芯片内部元件D.芯片与外壳

10.半导体材料的导电性介于（）之间。

A.导体和绝缘体B.导体和超导体C.绝缘体和超导体D.半导体和超导体

11.芯片制造中，化学气相沉积（CVD）主要用于（）

A.去除杂质B.生长薄膜C.加热芯片D.测试芯片性能

12.以下哪种技术可提高芯片的集成度（）

A.缩小晶体管尺寸B.增加芯片面积C.降低工作电压D.提高时钟频率

13.芯片制造过程中，退火工艺的目的是（）

A.消除应力B.增加杂质C.降低温度D.改变芯片形状

14.制造高性能芯片通常采用（）

A.低端工艺B.中端工艺C.先进工艺D.传统工艺

15.芯片制造中，测试环节主要检测芯片的（）

A.外观B.尺寸C.性能D.重量

16.以下哪种设备在芯片光刻中至关重要（）

A.离心机B.光刻机C.铣床D.车床

17.芯片制造中，离子注入是一种（）工艺。

A.掺杂B.刻蚀C.氧化D.互连

18.随着芯片制造技术发展，芯片的功耗（）

A.不断增加B.不断降低C.保持不变D.随机变化

19.芯片制造中，掩膜版的作用是（）

A.遮挡光线B.存储数据C.控制温度D.调节压力

20.以下哪个不是芯片制造的后端工艺步骤（）

A.封装B.测试C.光刻D.划片

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

二、填空题（共10题，每题2分，共20分）

请在答题纸上的横线上填写正确答案。

1.芯片制造的核心流程包括设计、制造、______和测试。

2.光刻技术中，光刻胶对特定波长的光具有______特性。

3.硅是芯片制造中最常用的______材料。

4.掺杂工艺可分为N型掺杂和______型掺杂。

5.芯片制造中，湿法刻蚀主要用于去除______的材料。

6.互连工艺中常用的金属材料有铝、铜和______等。

7.集成电路制造中，CMOS工艺的互补指的是______和PMOS互补。

8.芯片制造过程中，光刻的分辨率与光源波长、______和光刻胶厚度等因素有关。

9.化学气相沉积可分为常压CVD、低压CVD和______CVD等。

10.芯片封装的形式有引脚网格阵列、______和球栅阵列等。

三、简答题（共4题，每题5分，共20分）

请在答题区域下划线内作答，答案字数150字左右。

1.简述光刻技术的基本原理。

光刻技术利用光刻胶对特定波长光的感光特性。首先在芯片表面涂覆光刻胶，然后用光刻机将掩膜版上的电路图案通过特定波长光投射到光刻胶上，使光刻胶发生化学反应。曝光部分光刻胶特性改变，经过显影等工艺，去除曝光或未曝光部分光刻胶，从而在芯片表面留下与掩膜版图案对应的光刻胶图形，以此为模板进行后续刻蚀、掺杂等工艺。

2.说明掺杂工艺对半导体性能的影响。

掺杂工艺通过向半导体中引入杂质原子来改变其导电性。N型掺杂引入施主杂质，增加半导体中电子浓度，使半导体易于导电；P型掺杂引入受主杂质，增加空穴浓度，同样提高半导体导电