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注入效率可控型GCT：特性解析与工艺创新研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电力电子领域，随着工业自动化、新能源发电、智能电网以及轨道交通等行业的快速发展，对电力半导体器件的性能提出了越来越高的要求。门极换流晶闸管（Gate-CommutatedThyristor，GCT）作为一种新型的电力半导体器件，自问世以来就受到了广泛关注。它是在门极可关断晶闸管（GateTurn-OffThyristor，GTO）的基础上发展而来，通过引入透明阳极（TransparentAnode，TA）和缓冲层（BufferLayer）等新技术，使得GCT在保持GTO高电压、大电流特性的同