CN111948505B 一种GaN功率器件输出特性的测试电路及控制方法 （中电普瑞科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111948505B(45)授权公告日2025.07.11

(21)申请号201910358226.1(51)Int.CI.

(22)申请日2019.04.30GO1R31/26(2014.01)

(56)对比文件

(65)同一申请的已公布的文献号

CN211086502U,2020.07.24申请公布号

CN211086502U,2020.07.24

(43)申请公布日2020.11.17审查员肖文丽

(73)专利权人中电普瑞科技有限公司

地址102200北京市昌平区南邵镇南中路

16号

专利权人南瑞集团有限公司

(72)发明人王蓓蓓栾洪洲朱宁辉张良

王轩董亮燕翠刘道民张彬

(74)专利代理机构北京安博达知识产权代理有限公司11271

专利代理师徐国文

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

VT1正负压可调的[高隔离电源v。

VT1

正负压可调的[高隔离电源

v。

VT2

Fz

OADB

(57)摘要

CN111948505B本发明一种用于测试GaN功率器件输出特性的电路及控制方法，所述电路包括：隔离驱动芯片、GaN功率开关器件VT1、第一RC吸收保护电路、电感L、驱动磁珠Fz?、电阻R、待测GaN功率开关器件VT2、第二RC吸收保护电路、直流电源Vd和高隔离电源；本发明提供的电路，可以在一个很小的工装板上实现GaN功率器件输出特性的测试，能

CN111948505B

CN111948505B权利要求书1/2页

2

1.一种GaN功率器件输出特性的测试电路，其特征在于，所述电路包括：

隔离驱动芯片、GaN功率开关器件VT1、第一RC吸收保护电路、电感L、驱动磁珠FzB、电阻

R、待测GaN功率开关器件VT2、第二RC吸收保护电路、直流电源Vd和高隔离电源；

所述隔离驱动芯片的副边供电端和所述高隔离电源的正向电压输出端连接；所述隔离驱动芯片的副边接地端和所述高隔离电源的负向电压输出端连接；所述高隔离电源的接地端和所述待测GaN功率开关器件VT2的源极连接；

所述隔离驱动芯片的输出端和所述驱动磁珠Fz的一端连接；所述驱动磁珠Fz的另一端分别和所述待测GaN功率开关器件VT2的门极、所述电阻R的一端连接；所述电阻R的另一端和所述待测GaN功率开关器件VT2的源极连接；所述待测GaN功率开关器件VT2和所述第二RC吸收保护电路并联；

所述GaN功率开关器件VT1的门极和其源极连接；所述GaN功率开关器件VT1分别和所述第一RC吸收保护电路、电感L并联；

所述GaN功率开关器件VT1的源极和所述待测GaN功率开关器件VT2的漏极连接；

所述第一RC吸收保护电路和所述第二RC吸收保护电路串联；

所述直流电源Vd的正极和所述GaN功率开关器件VT1的漏极连接；所述直流电源Vd的负极和所述待测GaN功率开关器件VT2的源极连接；

所述第一RC吸收保护电路包括：第一电阻R1和与所述第一电阻串联的第一电容C1;

所述第二RC吸收保护电路包括：第二电阻R2和与所述第二电阻串联的第二电容C2。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述高隔离电源包括：

输入电源、Boost升压电路、推挽电路、正压调节电路和负压调节电路；

所述输入电源、Boost升压电路、推挽电路依次连接；所述正压调节电路与所述推挽电路的一个输出端连接，所述负压调节电路与所述推挽电路的另一个输出端连接；

所述Boost升压电路，用于将输入电源输入的电压升高至50V,并为所述推挽电路提供50V的输入电压；

所述推挽电路，用于将所述Boost升压电路输出的50V电压转换成正压输出和负压输出；

所述正压调节电路，用于将所述推挽电路输出的正压输出调节为范围在5V～20V内的正向电压；

所述负压调节电路，用于将所述推挽电路输出的负压输出调节为范围在-0.1V～-5V内的负向电压。

3.