2026—2027年基于III-V族化合物半导体的高效率激光雷达发射芯片在自动驾驶与机器人感知中追求更远距离与分辨率获激光雷达公司垂直整合.pptxVIP

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目录

一、从“照亮”到“洞察”：III-V族芯片如何成为2026激光雷达性能飞跃的物理基石与系统核心

二、破壁1550nm：深入剖析基于铟镓砷磷（InGaAsP）的高功率、低人眼安全风险发射芯片技术路径与材料工程突破

三、效率即生命：专家视角解密激光雷达发射端电光转换效率（PCE）提升对系统功耗、热管理与续航的关键影响

四、从点、线到面：深度剖析基于光学相控阵（OPA）与可寻址VCSEL面阵的固态芯片化光束操纵技术如何重塑分辨率定义

五、更远、更清、更快：系统论视角下解读发射芯片峰值功率、脉宽与重复频率协同优化对抗环境噪声与实现超远测距的逻辑

六、超越硅光：对比分析III