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2026年中兴硬件笔试题及答案

1.单选题（每题2分，共30分）

1.1某DDR5颗粒标称速率6400MT/s，其单根数据线有效带宽最接近

A6.4Gb/sB12.8Gb/sC25.6Gb/sD51.2Gb/s

答案：B

解析：6400MT/s×16bit÷8=12.8Gb/s，DDR5为双边沿采样，但“MT/s”已含双边沿，故不再×2。

1.2在28nmCMOS工艺下，1mm、宽度0.5μm的铝线电阻约

A50mΩB200mΩC500mΩD1Ω

答案：B

解析：铝电阻率≈2.8×10??Ω·m，截面积0.5μm×厚度0.2μm=0.1μm2，R=ρL/A=2.8×10??×10?3/(0.1×10?12)=280mΩ，取最接近值200mΩ。

1.3某SoC使用同步FIFO跨时钟域，写时钟200MHz，读时钟100MHz，FIFO深度至少为多少才能连续传输不间断？

A4B8C16D32

答案：C

解析：最坏情况写快读慢，速率差100MHz，需缓存1μs数据，写端1μs写入200笔，取2的幂次16。

1.4下列哪项不是PCIe6.0新增特性

APAM4信令BFLIT模式CL0p低功耗子状态D256B/257B编码

答案：C

解析：L0p为PCIe5.0已引入，6.0新增FEC、FLIT、PAM4。

1.5某LDO输出1.2V，负载电流从0mA跳至100mA时输出跌落峰值为48mV，其动态响应指标主要受限于

A误差放大器GBWB功率管尺寸C输出电容ESRD带隙基准噪声

答案：C

解析：跌落瞬态由电容提供电荷，ΔV=ESR×ΔI，ESR=48mV/100mA=0.48Ω，占主导。

1.6在-40℃下，硅PN结正向压降比25℃时

A高0.2VB高0.1VC低0.1VD低0.2V

答案：A

解析：温度系数≈-2mV/℃，ΔT=-65℃，ΔVf≈+130mV，最接近0.2V。

1.7某8层板叠层：SIG-GND-PWR-SIG-SIG-PWR-GND-SIG，若PWR3为1V平面，返回路径最差的信号层是

ATOPBL3CL4DL6

答案：C

解析：L4紧邻PWR3，但PWR3与GND2、GND6距离远，返回路径不连续，阻抗突变最大。

1.8下列总线中，采用菊花链拓扑的是

ASPIBI3CCJTAGDCAN

答案：C

解析：JTAGTMS/TDI串行级联，天然菊花链。

1.9某ADCSNR=72dB，采样率80MSPS，输入满幅1Vpp，其有效位数ENOB约

A10B11C12D13

答案：B

解析：SNR=6.02×ENOB+1.76dB→ENOB=(72-1.76)/6.02≈11.7，取整11。

1.10在EMC测试中，辐射发射峰值点出现在1.2GHz，其对应波长λ≈25cm，若电缆成为半波振子，其长度约

A12.5cmB25cmC50cmD100cm

答案：A

解析：半波振子长度=λ/2=12.5cm。

1.11某Buck芯片开关频率2MHz，输入12V，输出1V/5A，电感纹波电流取30%，所需电感量约

A0.22μHB0.47μHC1μHD2.2μH

答案：B

解析：ΔI=0.3×5=1.5A，V=L×dI/dt→L=(12-1)×0.5/(1.5×2×10?)=1.8μH，取0.47μH为标称邻近值。

1.12下列哪项不是造成SRAM软错误的主因

Aα粒子B宇宙射线中子C封装材料铀杂质D电源纹波

答案：D

解析：电源纹波导致功能错误，非单粒子翻转。

1.13某FPGA逻辑单元6-inputLUT，配置为4:1MUX，需占用

A1个LUTB2个LUTC4个LUTD无法映射

答案：A

解析：6-inputLUT可实现任意6变量函数，4:1MUX仅需4数据+2选择=6输入，直接映射。

1.14在SerDes均衡中，CTLE主要补偿

A码间干扰ISIB串扰C时钟抖动D电源噪声

答案：A

解析：CTLE为连续时间线性均衡，提升高频分量，对抗信道ISI。

1.15某晶振频率稳定度±10ppm，工作24h，最大漂移约