高功率微波对集成电路损伤效应的多维度剖析与应对策略探究.docxVIP

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  • 2026-01-21 发布于上海
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高功率微波对集成电路损伤效应的多维度剖析与应对策略探究.docx

高功率微波对集成电路损伤效应的多维度剖析与应对策略探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展,高功率微波(High-PowerMicrowave,HPM)在现代军事和科技领域中扮演着愈发重要的角色。高功率微波通常是指峰值功率高于100兆瓦、频率范围为1吉赫兹至300吉赫兹的电磁波,具有高频率、短脉冲(几十纳秒)和高功率等特点。自20世纪六七十年代,脉冲功率技术的发展为高功率微波的产生提供了可能,一系列高峰值功率的微波源被研制出来,使其开始广泛应用于各个领域。

在军事领域,高功率微波武器凭借其独特的作战效能,成为现代战争中的新型威慑力量。它利用强大的电磁脉冲,

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