南开大学材料科学基础(材料物理)2025年考研专业课真题试卷及答案.docxVIP

南开大学材料科学基础(材料物理)2025年考研专业课真题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、简答题（每题8分，共32分）

1.简述点缺陷（空位、填隙原子）对金属材料室温强度和高温蠕变性能的影响，并解释其原因。

2.根据能带理论，解释为什么导体、半导体和绝缘体具有不同的电学特性。P型半导体和N型半导体是如何形成的？

3.简述固溶体的两种基本类型（替代固溶体和间隙固溶体）在结构上的主要区别，并举例说明。

4.简述扩散的菲克第一定律的物理意义，并指出影响扩散系数的主要因素有哪些？

二、计算题（每题12分，共24分）

1.有一面心立方晶体的边长为a。计算（110）晶面的面间距d(110)。若在该晶体中存在密度为0.01（原子/单位面积）的填隙原子，假设填隙原子占据晶格间隙，且不引起晶格畸变，计算一个填隙原子引起的局部体积膨胀百分比。

2.某纯金属在1000℃时的扩散系数D=1×10^-11m^2/s。已知该温度下扩散激活能Q_d=260kJ/mol，阿伦尼乌斯常数R=8.314J/(mol·K)。试计算该金属在1200℃时的扩散系数D。

三、论述题（每题18分，共36分）

1.论述相变对金属材料性能的影响。以钢铁的奥氏体化过程为例，说明珠光体和马氏体的形成过程、微观结构和性能特点，并解释为什么淬火处理可以提高钢的硬度和强度。

2.从能带理论的perspective，论述半导体中杂质能级对导电性能的影响。以施主杂质和受主杂质为例，说明它们是如何改变半导体的导电类型的，并简述掺杂对半导体器件性能的影响。

试卷答案

一、简答题

1.答案：点缺陷（尤其是空位）能显著提高金属的室温强度（如屈服强度），因为它们是位错运动的障碍。位错在运动过程中需要绕过空位或与空位交互作用，从而增加了位错运动的阻力。高温下，原子热振动加剧，空位浓度增大，位错运动更容易进行，因此点缺陷对高温蠕变性能的影响减弱，高温蠕变主要受晶界扩散和晶格滑移控制。

解析思路：分析点缺陷对位错运动的影响。空位作为位错运动的障碍，增加了位错运动的阻力（应力），从而提高强度。结合温度对点缺陷浓度和位错运动能力的影响，解释其在不同温度下对蠕变性能的作用差异。

2.答案：导体由于具有满的价带或价带与导带重叠，电子只需较小的能量即可成为自由移动的载流子，因此导电性好。半导体在绝对零度时，价带满，导带空，需要一定的能量（禁带宽度E_g）才能激发电子跃迁到导带，形成少量自由载流子，导电性较差。绝缘体禁带宽度E_g很大，价带电子难以被激发到导带，几乎不存在自由载流子，因此导电性极差。P型半导体通过掺入三价杂质（如硼），杂质能级位于价带顶部附近，接受价带电子形成空穴，使空穴成为主要载流子。N型半导体通过掺入五价杂质（如磷），杂质能级位于导带底部附近，向导带提供电子，使电子成为主要载流子。

解析思路：从能带结构出发，解释导体、半导体、绝缘体的导电性差异。明确半导体的禁带宽度及其对导电性的影响。阐述P型和N型半导体是通过掺杂引入杂质能级，从而改变主要载流子类型（空穴或电子）。

3.答案：替代固溶体是指溶质原子替代了溶剂晶格中的溶剂原子，要求溶质原子和溶剂原子的尺寸、化学性质相似，以减小对晶格的畸变。溶质原子通常占据溶剂原子的正常格点位置。间隙固溶体是指溶质原子尺寸很小，溶入溶剂晶格的间隙中，导致晶格发生显著畸变。溶质原子占据溶剂原子晶格的间隙位置。

解析思路：抓住两种固溶体的核心区别：溶质原子进入晶格的方式不同（替代溶剂原子位或占据间隙）。并强调由此带来的结构差异（晶格畸变程度不同）以及尺寸和化学性质的要求。

4.答案：菲克第一定律描述了在稳态条件下，物质沿浓度梯度发生扩散的规律，即单位时间内通过单位面积扩散的物质流量与浓度梯度成正比。其数学表达式为J=-D(dC/dx)，其中J为扩散通量，D为扩散系数，dC/dx为浓度梯度，负号表示扩散方向与浓度梯度方向相反。影响扩散系数的主要因素有：温度（D随温度升高指数增加）、扩散物质的性质（原子尺寸、化学亲和力）、溶剂的性质（原子尺寸、化学亲和力）、扩散路径（晶格类型、晶体缺陷如空位、晶界等的存在会显著提高扩散系数）。

解析思路：准确阐述菲克第一定律的物理意义（稳态扩散、浓度梯度驱动）。写出公式并解释各符号含义。重点列出影响扩散系数的关键因素，并简述其影响机制（特别是温度和缺陷的作用）。

二、计算题

1.答案：

d(110)=a/√(1^2+1^2+0^2)=a/√2

假设填隙原子占据一个简单立方间隙，其边长近似为2*?a=?a。填隙原子引起的局部膨胀体积为