引入籽晶层的物理溅射生长Ga2O3外延薄膜特性研究.PDFVIP

引入籽晶层的物理溅射生长GaO外延薄膜特性研究*

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†

洪梓凡陈海峰贾一凡祁祺刘英英过立新刘祥泰陆芹

李立珺王少青关云鹤胡启人

（西安邮电大学电子工程学院，新型半导体器件与材料重点实验室，西安710121）

摘要

氧化镓(GaO)薄膜在功率器件以及紫外探测等领域中具有重要的应用潜力，而

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实现高质量薄膜制备则是其中的关键。本文在蓝宝石衬底上物理溅射生长外延

GaO层，因采用引入籽晶层的方法提供了人为成核点而使得外延层结晶质量获

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得明显改善。实验发现该外延层薄膜的生长中随着功率增加，晶粒团聚到一定尺

寸后出现裂解现象。这一物理机制归因于大功率下溅射粒子在生长晶面上扩散携

(2)β

带的能量过大导致粒子碰撞次数增多。文中生长的外延层为01晶面取向的

型GaO薄膜，厚度在202.4~292.3nm之间，薄膜在450-800nm范围可见光波

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段的透射率约为90%，吸收边随着功率的增加先蓝移后红移，带隙约为4.81~4.96

eV。光致发光光谱分析表明，该外延层薄膜在460nm处产生蓝色发光。本文发

现溅射功率为160W引入籽晶层生长的β-GaO薄膜具有最佳的结晶质量，这一

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β-GaO用

方法将为高质量23薄膜的可控生长提供有益参考。

录

关键词：β-GaO，外延，宽禁带半导体，磁控溅射

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81.15.-z81.10.-h81.70.-q78.20.-e

PACS：，，，

新

基金：陕西省自然科学基础研究计划（批准号：2020JM-581）

†通讯作者.E-mail:chenhaifeng@xupt.edu.cn

最

1引言

(GaO)4.4-5.3eV[1]SiCGaN

氧化镓23禁带宽度约为，大于和，这一特征展示

[2]

出了巨大的应用潜力，因此被认为是未来电力电子学和光电领域应用中最有前

[3]β-GaO[4-7]5eV

景的超宽带隙半导体之一。23在众多相中最稳定，拥有最大约接近

8MV/cm[8,9]β-GaO

的超大带隙，并且具有超高的击穿电场。目前制备23薄膜的

[10,11](MBE)[12](PLD)[13,14]

主流方式为射频磁控溅射、分子束外延、脉冲激光沉积、

原子层沉积(ALD)[15]、化学气相沉积(CVD)[16,17]。其中，射频磁控溅射法作为常

用方法，具有附着性高，质量可控，成本低的优点，通过改变溅射功率