2026—2027年基于自旋电子学原理的磁随机存储器及其存算一体架构在超低功耗边缘智能领域实现首次流片验证获颠覆性计算范式早期投资.pptxVIP

2026—2027年基于自旋电子学原理的磁随机存储器及其存算一体架构在超低功耗边缘智能领域实现首次流片验证获颠覆性计算范式早期投资

目录目录一、前沿颠覆：自旋电子学如何点燃存算一体芯片的革命火花并引领后摩尔定律时代超低功耗边缘智能的范式转移？二、物理基石深度解构：从巨磁阻效应到磁各向异性操控，探究STT-MRAM与SOT-MRAM的微观物理机制及其对存储器性能的底层决定性作用三、架构革命：存算一体如何打破“内存墙”与“功耗墙”的双重枷锁？——详析基于MRAM的存内逻辑与近内存计算融合架构的设计哲学与实现路径四、首次流片验证全记录：从TCAD仿真、后端设计到Found