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二维原子层谷电子学材料和器件

孙真昊

管鸿明

付雷

沈波

唐宁

Valleytronicpropertiesanddevicesbasedontwo-dimensionalatomiclayermaterials

SunZhen-HaoGuanHong-MingFuLeiShenBoTangNing

引用信息Citation:ActaPhysicaSinica,70,027302(2021)DOI:10.7498/aps.70

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物

理

学

报

Acta

Phys.

Sin.

Vol.

70,

No.

2

(2021)

027302

专题—原子制造：基础研究与前沿探索

二维原子层谷电子学材料和器件*

孙真昊

管鸿明

付雷

沈波

唐宁†

(北京大学物理学院,

人工微结构与介观物理国家重点实验室,

北京100871)

(2020

年8

月27日收到;

2020

年9

月14日收到修改稿)

人为操控电子的内禀自由度是现代电子器件的核心和关键.

如今电子的电荷和自旋自由度已经被广泛

地应用于逻辑计算与信息存储.

以二维过渡金属硫属化合物为代表的二维原子层材料由于其具有独特的谷

自由度和优异的物理性质,

成为了新型谷电子学器件研究的优选材料体系.

本文介绍