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钙钛矿光伏材料研发工程师岗位招聘考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分）

1.钙钛矿光伏材料的典型结构通式为______（A为有机/无机阳离子，B为金属阳离子，X为卤素阴离子）。

2.常见的A位无机阳离子为______（与MA、FA搭配）。

3.钙钛矿B位常用金属阳离子为______（铅基为主）。

4.X位常见卤素阴离子包括碘、溴和______。

5.MAPbI3的禁带宽度约为______eV，与太阳光谱匹配度高。

6.钙钛矿前驱体常用溶剂有DMF、DMSO和______。

7.钙钛矿薄膜退火常用温度范围约为______℃。

8.钙钛矿主要载流子类型为______和空穴。

9.铅空位属于钙钛矿的______缺陷。

10.钙钛矿电池核心结构含导电基底、电子传输层、吸收层、空穴传输层和______。

二、单项选择题（共10题，每题2分）

1.实验室钙钛矿单结电池最高认证效率约为（）

A.20%B.23%C.26%D.29%

2.提高钙钛矿稳定性的A位掺杂常用元素是（）

A.CsB.FeC.CuD.Zn

3.部分替代Pb降低毒性的B位元素是（）

A.SnB.AlC.AgD.Au

4.挥发速率最慢的溶剂是（）

A.DMFB.DMSOC.乙腈D.乙醇

5.钙钛矿退火常用氛围是（）

A.空气B.氧气C.氮气D.氢气

6.常用空穴传输层材料是（）

A.TiO2B.SnO2C.PTAAD.ZnO

7.钙钛矿不突出的稳定性问题是（）

A.热稳定性B.湿度稳定性C.光稳定性D.耐酸性

8.钙钛矿-硅叠层中钙钛矿作为（）

A.顶电池B.底电池C.中间层D.保护层

9.加剧载流子复合的缺陷是（）

A.碘间隙B.铅空位C.碳杂质D.以上都是

10.钙钛矿薄膜制备不常用的方法是（）

A.旋涂B.蒸镀C.喷墨打印D.磁控溅射

三、多项选择题（共10题，每题2分）

1.钙钛矿缺陷类型包括（）

A.空位（A/B/X）B.间隙（A/B/X）C.反位缺陷D.杂质缺陷

2.提高稳定性的方法有（）

A.界面修饰B.元素掺杂C.封装D.无机A位替代

3.前驱体溶液制备步骤含（）

A.称量B.搅拌溶解C.过滤D.超声

4.常用电子传输层材料有（）

A.TiO2B.SnO2C.ZnOD.Spiro-OMeTAD

5.常用空穴传输层材料有（）

A.PTAAB.Spiro-OMeTADC.CuID.石墨烯

6.影响载流子寿命的因素有（）

A.晶粒尺寸B.缺陷浓度C.掺杂D.退火时间

7.钙钛矿优势包括（）

A.高吸收系数B.可调带隙C.低成本D.长期高稳定

8.常见封装技术有（）

A.玻璃-玻璃B.玻璃-塑料C.金属封装D.无封装

9.B位可替换阳离子有（）

A.PbB.SnC.GeD.Cu

10.A位有机阳离子有（）

A.MAB.FAC.CsD.乙胺

四、判断题（共10题，每题2分）

1.MAPbI3禁带宽度约1.55eV，光谱匹配良好。（）

2.FA基钙钛矿比MA基更稳定。（）

3.Sn替代Pb降低毒性，但减少载流子寿命。（）

4.DMSO挥发速率比DMF快。（）

5.退火需空气氛围促进结晶。（）

6.钙钛矿单结效率超硅单结最高效率。（）

7.空穴传输层只能用有机材料。（）

8.TiO2电子传输层常用溶胶-凝胶法制备。（）

9.钙钛矿可见光吸收系数高于硅。（）

10.钙钛矿-硅叠层突破单结Shockley-Queisser极限。（）

五、简答题（共4题，每题5分）

1.简述钙钛矿结构通式及各位置元素作用。

2.钙钛矿前驱体溶液制备的关键步骤及注意事项。

3.钙钛矿常见缺陷类型及对性能的影响。

4.提高钙钛矿电池稳定性的常用方法。

六、讨论题（共2题，每题5分）

1.钙钛矿光伏面临的主要挑战及解决思路。

2.钙钛矿-硅叠层电池的优势及研发难点。

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答案部分

一、填空题答案

1.ABX32.铯（Cs）3.铅（Pb）4.氯（Cl）5.1.556.γ-丁内酯（GBL）7.100-1508.电子9.本征10.金属电极

二、单项选择题答案

1.C2.A3.A4.B5.C6.C7.D8.A9.D10.D

三、多项选择题答案

1.ABCD2.ABCD3.ABCD4.ABC5.ABCD6.ABCD7.ABC8.AB9.ABC10.ABD

四、判断题答案

1.√2.√3.√4.×5.×6.×7.×8.√9.√10.√

五、简答题答案

1.结构通式ABX3：A（有机/无机阳离子）平衡电荷、调控晶格；B（金属阳离子）决定价带电子结构；X（卤素）形成框架、影响带隙。

2.步骤：称量前驱体→DMF/DMSO溶解搅拌→0.22μm滤膜过滤→超声。注意：湿度30%防水解，搅拌12h以上确保溶解。

3.缺陷类型：空位、间隙、反位、杂质。影响：作为复合中心降低Voc/Jsc，晶格畸变减少载流子迁