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超结VDMOS体二极管反向恢复鲁棒性的多维度剖析与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电力电子技术飞速发展的背景下，超结VDMOS（VerticalDouble-DiffusedMetalOxideSemiconductor，垂直双扩散金属氧化物半导体）器件凭借其独特的结构和卓越的性能，在众多领域得到了广泛应用。超结VDMOS通过在漂移区引入交替的P型和N型柱状结构，有效解决了传统VDMOS中导通电阻与击穿电压之间的矛盾，实现了低导通电阻和高击穿电压的良好平衡，使其在高压、大电流的应用场景中展现出显著优势。

超结VDMOS体二极管作为器件内部的