CN112271141B 一种双面散热功率半导体模块及制造方法 （浙江大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112271141B(45)授权公告日2025.01.10

(21)申请号202011145278.X

(22)申请日2020.10.23

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112271141A

(43)申请公布日2021.01.26

(73)专利权人浙江大学

地址310058浙江省杭州市西湖区余杭塘

路866号

(72)发明人罗皓泽高洪艺周宇谢刚李武华何湘宁

(74)专利代理机构杭州求是专利事务所有限公

司33200专利代理师郑海峰

(51)Int.CI.

HO1L21/60(2006.01)

H01L21/603(2006.01)

H01L21/607(2006.01)

H01L23/488(2006.01)

H01L23/367(2006.01)

(56)对比文件

CN107887368A,2018.04.06审查员秦晓彤

权利要求书2页说明书6页附图3页

(54)发明名称

一种双面散热功率半导体模块及制造方法

(57)摘要

CN112271141B本发明公开了一种一种双面散热功率半导体模块及制造方法，属于半导体技术领域。半导体模块由上层绝缘衬板、下层绝缘衬板、功率半导体芯片、金属垫片、铝丝、功率端子和信号端子组成；功率半导体芯片与下层绝缘衬板通过预成型焊片接合，将功率半导体芯片放至在预成型焊片上方后，在功率半导体芯片表面施加预应力压块后进行回流焊接；功率端子和信号端子与下层绝缘衬板先通过超声键合焊接，在功率端子和信号端子的引脚周围涂覆焊膏后再进行回流焊接。本发明提供的双面散热功率半导体模块的制造方法提升了焊接后芯片高度的一致性，降低了焊接空洞率，确保了端子与绝缘衬板间的连接强

CN112271141B

贴片

贴片

放置压块

上绝缘衬板焊接

移除压块

焊接空洞率检查

引线键合

超声焊接端子

衬板开裂检查

焊音焊接端子

上、下绝缘衬板接合

焊接空洞率检查

塑封

切边、弯折

焊接空洞率检查

下绝缘衬板焊接

CN112271141B权利要求书1/2页

2

1.一种双面散热功率半导体模块的制备方法，所述的双面散热功率半导体模块包括上层绝缘衬板(1)、下层绝缘衬板(2)、功率半导体芯片、金属垫片(5)、功率端子(7)和信号端子(8);

所述功率半导体芯片布置在下层绝缘衬板(2)上表面的中部，与下层绝缘衬板(2)的上表面通过预成型焊片接合，且功率半导体芯片的栅极通过铝丝连接至下层绝缘衬板(2)上；所述的功率端子(7)和信号端子(8)布置在下层绝缘衬板(2)上表面的两侧，与下层绝缘衬板(2)的上表面焊接；

所述上层绝缘衬板(1)的下表面设有金属垫片(5),所述金属垫片的上表面与上层绝缘衬板的下表面焊接，金属垫片的下表面和功率半导体芯片的上表面之间通过预成型焊片接合；

其特征在于，所述的制备方法包括以下步骤：

1)将预成型焊片放置在下层绝缘衬板(2)的上表面中部，将功率半导体芯片放置在预成型焊片上；

2)在每一个功率半导体芯片的上表面施加预应力压块，移至回流炉中，在甲酸环境中将预成型焊片焊接在下层绝缘衬板(2)上，并将每一个功率半导体芯片焊接在预成型焊片的上表面上；焊接完毕后，移除预应力压块，形成第一焊接组件；所述预应力压块为长方体结构，其横截面积为1-1.2倍的功率半导体芯片上表面积，厚度为1-30mm,质量为1-500g,材料为石墨或钼片；

3)在上层绝缘衬板(1)的下表面上丝网印刷焊膏和助焊剂，将金属垫片(5)放置于焊膏上，移至回流炉中，在甲酸环境中将金属垫片(5)焊接在上层绝缘衬板(1)上，其中在回流炉中的预热温度为100-180℃,焊接温度为200-280℃,焊接时间为60-80s;焊接完毕后，清洗残留的助焊剂，形成第二焊接组件；

4)将第一焊接组件放置在键合台上，将功率半导体芯片的栅极通过键合铝线连接至下层绝缘衬板(2)上；

5)将功率端子(7)和信号端子(8)采用夹具固定在下层绝缘衬板(2)上，在真空系统中进行超声键合焊接，其中功率端子(7)的超声焊接压力为1.8～2.2bar,振幅为80%,键合能量为100～120W·s;信号端子(8)的超声焊接压力为1.6～1.8bar,振幅为80%,键合能量为60～80W·s;之后，在功率端子(7)和信号端子(8)的引脚处涂覆焊膏和助