2025年大学本科（电子科学与技术）半导体器件设计综合测试题及答案.docVIP

2025年大学本科（电子科学与技术）半导体器件设计综合测试题及答案

（考试时间：90分钟满分100分）

班级______姓名______

第I卷（选择题，共40分）

每题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。(总共8题，每题5分，在每题给出的四个选项中，选出最符合题目要求的一项)

1.以下哪种半导体材料具有较高的电子迁移率？

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.碳化硅

2.对于PN结，当外加正向电压时，以下说法正确的是？

A.耗尽层变宽，电流很小

B.耗尽层变窄，电流很大

C.耗尽层不变，电流为零

D.耗尽层随机变化，电流不稳定

3.半导体器件中，MOSFET的阈值电压主要取决于？

A.栅极材料

B.源漏掺杂浓度

C.氧化层厚度和掺杂类型

D.衬底材料

4.以下哪种效应会导致MOSFET的沟道迁移率下降？

A.热载流子效应

B.短沟道效应

C.窄沟道效应

D.以上都是

5.双极型晶体管中，基区宽度调制效应会使？

A.集电极电流增大

B.集电极电流减小

C.发射极电流增大

D.发射极电流减小

6.半导体发光二极管的发光原理是基于？

A.电子与空穴的复合

B.热辐射

C.光吸收

D.光电效应

7.对于半导体激光器，以下哪种结构可以实现单模输出？

A.多量子阱结构

B.分布式反馈结构

C.增益耦合结构

D.以上都可以

8.在半导体器件的制造工艺中，光刻技术主要用于？

A.掺杂杂质

B.形成金属电极

C.定义器件的几何图形

D.生长半导体薄膜

第II卷（非选择题，共60分）

9.简答题：简述半导体中载流子的产生与复合机制。（10分）

10.简答题：说明PN结的单向导电性原理。（10分）

11.分析题：分析MOSFET的工作原理，包括截止区、线性区和饱和区的特性。（20分）

12.材料题：

材料：某半导体器件在工作过程中出现了性能不稳定的情况。经过测试发现，其阈值电压发生了漂移，沟道电阻也有所变化。已知该器件为MOSFET，采用的是常规的硅基工艺。

问题：请分析可能导致这些问题的原因，并提出相应的解决措施。（15分）

13.设计题：

要求设计一个简单的半导体放大器电路，采用双极型晶体管。说明设计思路，包括晶体管的选型、偏置电路的设计以及负载电阻的选择等，并画出电路图。（5分）

答案：1.C2.B3.C4.D5.A6.A7.B8.C

9.半导体中载流子的产生主要有热激发、光激发等方式。热激发使价带中的电子获得能量跃迁到导带成为自由电子，同时在价带留下空穴。光激发是光子能量大于半导体禁带宽度时，使电子从价带跃迁到导带产生电子-空穴对。复合机制有直接复合，即电子直接与空穴复合；间接复合，通过杂质或缺陷能级进行复合；表面复合，发生在半导体表面。

10.PN结的单向导电性基于其内部的空间电荷区（耗尽层）。当外加正向电压时，外电场削弱内电场，使耗尽层变窄，多数载流子的扩散运动增强，形成较大的正向电流。当外加反向电压时，外电场增强内电场，耗尽层变宽，多数载流子的扩散运动受阻，只有少数载流子的漂移运动，形成很小的反向电流，所以呈现单向导电性。

11.MOSFET工作原理：当栅源电压小于阈值电压时，沟道未形成，处于截止区，电流近似为零。当栅源电压大于阈值电压时，形成导电沟道。在线性区，漏源电压较小，沟道电阻基本不变，电流随漏源电压线性变化。在饱和区，漏源电压较大，沟道在漏端被夹断，电流趋于饱和，不再随漏源电压增大而明显变化。

12.可能原因：温度变化导致阈值电压漂移；工艺偏差使得沟道掺杂不均匀等影响沟道电阻。解决措施：采用温度补偿电路；优化工艺，提高制造精度，对关键尺寸和参数进行严格控制和监测。

13.设计思路：选择合适型号的双极型晶体管，如NPN型。根据电源电压和所需放大倍数确定偏置电路，可采用分压式偏置电路，使晶体管工作在合适的静态工作点。负载电阻根据输出信号要求和晶体管特性选择。电路图：画出晶体管，基极通过电阻与电源和地相连构成偏置，集电极接负载电阻到电源，发射极接地。