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2026秋招：工艺整合题库及答案

一、单项选择题（每题2分，共10题）

1.以下哪种不属于光刻工艺的关键步骤？

A.涂胶

B.显影

C.刻蚀

D.曝光

2.CVD是指？

A.物理气相沉积

B.化学气相沉积

C.分子束外延

D.离子注入

3.硅片表面清洗常用的是？

A.硫酸

B.王水

C.RCA清洗液

D.盐酸

4.离子注入的主要目的是？

A.改变材料表面硬度

B.改变材料电学性能

C.增加材料厚度

D.提高材料光泽度

5.以下哪种是常用的光刻胶类型？

A.正性光刻胶

B.中性光刻胶

C.负正性光刻胶

D.无极性光刻胶

6.化学机械抛光（CMP）主要用于？

A.去除表面杂质

B.表面平坦化

C.改变表面颜色

D.增加表面粗糙度

7.热氧化工艺中，干氧氧化的特点是？

A.生长速度快

B.氧化层质量高

C.成本低

D.对设备要求低

8.以下哪种不是薄膜沉积的方法？

A.PVD

B.CMP

C.MBE

D.CVD

9.光刻工艺中，分辨率与下列哪个因素无关？

A.光源波长

B.数值孔径

C.光刻胶厚度

D.曝光时间

10.扩散工艺的主要目的是？

A.形成PN结

B.去除表面缺陷

C.提高表面平整度

D.增加材料硬度

二、多项选择题（每题2分，共10题）

1.工艺整合中需要考虑的因素有？

A.工艺顺序

B.设备兼容性

C.成本

D.良率

2.光刻工艺的组成部分包括？

A.光刻设备

B.光刻胶

C.掩膜版

D.显影液

3.离子注入的优点有？

A.精确控制杂质浓度

B.低温工艺

C.可选择性注入

D.对材料损伤小

4.以下属于硅片清洗方法的有？

A.机械清洗

B.化学清洗

C.超声清洗

D.等离子清洗

5.化学气相沉积的优点有？

A.沉积速率高

B.膜层均匀性好

C.可进行复杂形状沉积

D.设备简单

6.热氧化工艺的影响因素有？

A.氧气流量

B.温度

C.硅片晶向

D.氧化时间

7.以下属于薄膜材料的有？

A.二氧化硅

B.氮化硅

C.多晶硅

D.铝

8.光刻工艺的分辨率与下面哪些因素有关？

A.光刻胶灵敏度

B.光源

C.光刻设备

D.掩膜版质量

9.工艺整合过程中可能遇到的问题有？

A.工艺兼容性问题

B.设备故障

C.环境因素影响

D.人员操作失误

10.物理气相沉积的方法有？

A.蒸发

B.溅射

C.化学电镀

D.离子镀

三、判断题（每题2分，共10题）

1.工艺整合只需考虑单个工艺的效果，无需考虑工艺之间的相互影响。（）

2.光刻工艺中，曝光时间越长越好。（）

3.离子注入会对硅片表面造成一定损伤。（）

4.化学机械抛光（CMP）只能用于硅片表面的抛光。（）

5.热氧化工艺中，水汽氧化比干氧氧化生长速度快。（）

6.光刻胶的主要作用是在光刻过程中保护硅片表面。（）

7.CVD可以沉积各种金属和非金属薄膜。（）

8.扩散工艺和离子注入工艺都可以形成PN结。（）

9.硅片清洗只需要进行一次，就能达到良好的清洗效果。（）

10.光刻分辨率越高，能够制造的芯片特征尺寸越小。（）

四、简答题（每题5分，共4题）

1.简述工艺整合的主要目标。

实现各工艺环节有效衔接与配合，提高生产效率、降低成本，确保产品质量和良率，满足设计要求和生产目标。

2.光刻工艺有哪些关键参数？

主要有关键参数有光源波长、数值孔径、曝光时间、光刻胶灵敏度和厚度、显影时间和温度等，影响分辨率和图形转移质量。

3.离子注入与扩散工艺相比，有什么优点？

能精确控制杂质浓度和分布，可低温操作减少热影响，可选择性注入特定区域，且工艺重复性好。

4.化学机械抛光（CMP）的作用和原理是什么？

作用是使硅片表面平坦化。原理是通过化学腐蚀和机械研磨协同作用，在压力和抛光液作用下，去除表面凸起部分达到平整。

五、讨论题（每题5分，共4题）

1.讨论在工艺整合中如何提高产品良率。

需优化工艺顺序，确保各工艺兼容，减少相互干扰；严格控制工艺参数，减少波动；做好设备维护和校准，保证其稳定性；加强人员培训，提升操作技能和质量意识；还要进行有效环境管理，降低污染影响。

2.谈谈光刻技术在芯片制造中的重要性。

光刻技术是芯片制造核心，决定芯片特征尺寸和集成度，精确图形转移保证电路功能实现。先进光刻可推动芯片性能提升和制程缩小，是提高芯片竞争力和实现技术突破关键。

3.分析离子注入工艺可能带来的问题及解决方法。

可能致硅片晶格损伤、引入杂质污染。解决可采用退火修复损伤，优化注入参数控