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2026秋招：工艺整合试题及答案

单项选择题（每题2分，共20分）

1.哪种工艺常用于去除硅片表面氧化层？

A.光刻

B.刻蚀

C.镀膜

D.掺杂

2.以下哪种气体常用于化学气相沉积？

A.氧气

B.氢气

C.氮气

D.硅烷

3.光刻工艺中，关键步骤是？

A.涂胶

B.曝光

C.显影

D.以上都是

4.离子注入的主要目的是？

A.改变材料颜色

B.改变材料导电性

C.增加材料硬度

D.提高材料透明度

5.化学机械抛光的作用是？

A.去除表面杂质

B.使表面平整

C.增加表面光泽

D.以上都对

6.以下哪种不是半导体制造中的清洗方法？

A.湿法清洗

B.干法清洗

C.超声波清洗

D.火焰清洗

7.热氧化工艺主要生成？

A.氮化硅

B.氧化硅

C.碳化硅

D.磷化硅

8.光刻胶的主要作用是？

A.保护硅片

B.实现图形转移

C.增加硅片硬度

D.提高硅片导电性

9.物理气相沉积中，常用的方法是？

A.溅射

B.化学镀

C.电镀

D.阳极氧化

10.工艺整合的核心目标是？

A.提高产量

B.降低成本

C.保证产品性能和质量

D.以上都是

多项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体制造中常见的工艺步骤有？

A.光刻

B.刻蚀

C.掺杂

D.镀膜

2.影响光刻分辨率的因素有？

A.光源波长

B.光刻胶性能

C.曝光设备精度

D.硅片平整度

3.化学气相沉积的优点有？

A.膜层均匀

B.附着力强

C.可精确控制成分

D.设备成本低

4.离子注入可能带来的问题有？

A.晶格损伤

B.杂质分布不均匀

C.表面粗糙度增加

D.材料导电性降低

5.清洗工艺的目的包括？

A.去除表面杂质

B.去除有机物

C.去除金属离子

D.恢复表面活性

6.热氧化工艺的影响因素有？

A.温度

B.氧气流量

C.时间

D.硅片晶向

7.光刻工艺中用到的材料有？

A.光刻胶

B.掩膜版

C.显影液

D.去离子水

8.物理气相沉积的特点有？

A.沉积速度快

B.膜层纯度高

C.可在低温下进行

D.对环境要求低

9.工艺整合需要考虑的因素有？

A.工艺兼容性

B.设备利用率

C.生产成本

D.产品良率

10.化学机械抛光涉及的因素有？

A.抛光液成分

B.抛光垫材质

C.抛光压力

D.抛光转速

判断题（每题2分，共20分）

1.光刻工艺是半导体制造中唯一的图形转移方法。（）

2.化学气相沉积只能在高温下进行。（）

3.离子注入后不需要进行退火处理。（）

4.清洗工艺对半导体制造的良率影响不大。（）

5.热氧化生成的氧化硅膜厚度只与时间有关。（）

6.光刻胶在曝光后性质不会发生改变。（）

7.物理气相沉积和化学气相沉积的原理相同。（）

8.工艺整合就是将各个工艺简单组合在一起。（）

9.化学机械抛光可以完全消除表面的划痕。（）

10.半导体制造中，所有工艺步骤的顺序是固定不变的。（）

简答题（每题5分，共20分）

1.简述光刻工艺的基本流程。

2.化学气相沉积与物理气相沉积的主要区别是什么？

3.离子注入后为什么要进行退火处理？

4.清洗工艺在半导体制造中有什么重要性？

讨论题（每题5分，共20分）

1.讨论工艺整合在提高半导体产品良率方面的作用。

2.分析光刻工艺中提高分辨率的挑战和可能的解决方案。

3.探讨化学机械抛光对半导体器件性能的影响。

4.谈谈在工艺整合中如何平衡成本和产品质量。

答案

单项选择题

1.B

2.D

3.D

4.B

5.D

6.D

7.B

8.B

9.A

10.D

多项选择题

1.ABCD

2.ABC

3.ABC

4.ABC

5.ABCD

6.ABCD

7.ABCD

8.ABC

9.ABCD

10.ABCD

判断题

1.×

2.×

3.×

4.×

5.×

6.×

7.×

8.×

9.×

10.×

简答题

1.光刻基本流程：涂光刻胶、曝光（用掩膜版使光刻胶感光）、显影（去除曝光或未曝光部分光刻胶）、坚膜（增强光刻胶与硅片结合力）。

2.化学气相沉积是通过化学反应生成薄膜，可精确控制成分；物理气相沉积靠物理方法沉积，如溅射，沉积速度快。

3.离子注入会造成晶格损伤，退火可修复晶格，使杂质激活并均匀分布，改善材料电学性能。

4.清洗能去除表面杂质、有机物和金属离子，恢复表面活性，防止杂质影响后续工艺，保证产品性能和良率。

讨论题

1.工艺整合可优化各工艺顺序和参数，