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华南理工大学半导体物理试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、

1.简述晶体结构和点缺陷（空位、填隙原子）对半导体材料物理性质（如电导率、机械强度）可能产生的影响。

2.解释能带形成的原因。为什么绝缘体和半导体的能带结构有显著区别？

二、

1.根据能带理论，解释什么是导带、价带和禁带。n型半导体和p型半导体中，主要的载流子分别是什么？它们的能级位于何处？

2.简述有效质量的概念及其物理意义。在能带模型中，为什么需要引入有效质量来描述电子或空穴的运动？

三、

1.写出热平衡条件下，半导体中电子气体的费米-狄拉克分布函数表达式。说明其中各物理量的含义以及费米能级EsubF/sub的物理意义。

2.温度升高，本征半导体的本征载流子浓度nsubi/sub如何变化？请从费米-狄拉克分布函数的性质解释原因。

四、

1.分别解释载流子在半导体中的漂移运动和扩散运动的物理机制。漂移电流密度和扩散电流密度的表达式各是什么？

2.导电率σ的表达式是什么？它受哪些因素影响？解释迁移率μ的物理意义，并说明影响迁移率的因素。

五、

1.描述在热平衡条件下，P-N结内形成内建电场和内建电压的过程。内建电压Vsubbi/sub的表达式是什么？

2.当外加电压超过P-N结的内建电压时，P-N结处于什么状态？此时主要的电流分量是什么？解释其物理机制。

六、

1.什么是半导体的耗尽区？在P-N结外加正向电压时，耗尽区宽度的变化趋势如何？简述原因。

2.简述半导体中复合的基本过程。什么是本征复合？什么是非本征复合（辐射复合与非辐射复合）？

七、

1.解释什么是半导体的禁带宽度Esubg/sub。Esubg/sub的大小对半导体的导电类型和光电特性有何影响？

2.写出半导体在温度T和吸收能量为hν的光子照射下，单位时间、单位体积内产生的电子-空穴对数的表达式（考虑能量阈值）。解释式中各物理量的含义。

八、

1.什么是半导体的能谷？有效质量在能谷中的意义是什么？

2.解释欧姆定律在半导体中的适用条件。在强电场作用下，漂移电流会偏离线性关系，可能出现什么现象？解释其原因。

试卷答案

一、

1.晶体结构决定了电子运动的周期性势场，是形成能带的基础。点缺陷（空位导致晶格畸变，填隙原子改变电子局域态）会破坏这种周期性，引入额外的能级或改变能带的形状和宽度，从而影响电子的移动。空位可能增加载流子散射，降低迁移率；填隙原子可能提供额外的载流子能级。这些缺陷通常也增加载流子的散射，导致电导率下降。位错等线缺陷会引起应力场，同样增加散射，降低电导率，但也会改变能带结构，可能引入导带底附近的重空穴等新能谷，影响器件性能。

2.能带形成是原子外层电子在晶体周期性势场作用下，通过泡利不相容原理和量子力学的统计分布（如费米-狄拉克分布），使得原来孤立原子中分离的能级扩展为连续的能带。绝缘体和半导体的区别在于其价带与导带之间禁带宽度（Esubg/sub）的大小。绝缘体的Esubg/sub很大（3eV），价带被电子填满且与导带之间存在较宽的禁带，热激发或掺杂很难使电子跃迁到导带，因此不导电。半导体的Esubg/sub较小（~1eV），在室温下有少量电子可通过热激发跃迁到导带，同时价带也出现空穴，因此具有一定的导电性。

二、

1.导带：原子激发后，电子占据的最高能级所处的能带，通常电子数较少。价带：原子基态时电子占据的能级所处的能带，通常电子数较多，在热平衡时被电子填满。禁带：导带底和价带顶之间的能量范围，此范围内没有电子能级存在。n型半导体：通过掺杂引入大量施主能级（位于导带底附近），这些能级易被电子占据，电子是主要载流子，施主能级位于导带底以下。p型半导体：通过掺杂引入大量受主能级（位于价带顶附近），这些能级易接受电子，形成空穴，空穴是主要载流子，受主能级位于价带顶以上。

2.在晶体周期性势场中，电子的实际运动轨道复杂，受到周围原子核和电子的作用，其能量不再是孤立原子能级的简单叠加。有效质量是描述晶体中电子在周期性势场作用下运动性质的等效参数，它反映了电子在晶体中受到的有效惯性力。当外力作用于电子时，其加速度a与外力F的关系为a=(F/msubeff/sub)，其中msubeff/sub是有效质量。有效质量可以大于、小于或等于电子的静止质量。引入有效质量后，可以将晶体中电子复杂的运动简化为类自由电子的运动，使得能带理论更加简洁，并能方便地讨论电子在电场中的运动特性（如漂移速度、态密度等）。

三、

1.费米-狄拉克分布函数表达式：f(E)=1/{1+exp[(E-EsubF/sub)