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半导体物理练习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分。请将正确选项的字母填在括号内）

1.在半导体能带理论中，禁带宽度主要由以下哪个因素决定？（）

A.晶格振动频率

B.原子核电荷

C.原子外层电子数

D.泡利不相容原理

2.对于本征半导体，下列哪个表述是正确的？（）

A.载流子浓度仅取决于温度

B.载流子浓度仅取决于掺杂浓度

C.施主能级和受主能级都位于导带底和价带顶之间

D.费米能级位于禁带中间

3.当P型半导体和N型半导体接触形成P-N结时，耗尽层主要存在于哪里？（）

A.P区和N区内部

B.P区靠近N区的边界面

C.N区靠近P区的边界面

D.耗尽层内没有载流子

4.半导体中载流子的迁移率主要受哪些因素影响？（）

A.温度、晶格散射、电场

B.掺杂浓度、光照、电场

C.温度、掺杂浓度、材料本征性质

D.能带结构、费米能级、晶格常数

5.在P-N结平衡状态下，下列哪个电压是零？（）

A.外加电压

B.内建电场对应的电压

C.耗尽层电场产生的电压

D.扩散电压

6.杂质半导体中，施主能级位于导带底的多少电子伏特之下？（）

A.1.1eV

B.0.045eV

C.Esubc/sub-Esubg/sub

D.Esubc/sub-kT

7.对于N型半导体，提高温度将如何影响其电导率？（）

A.增加

B.减少

C.不变

D.先增加后减少

8.半导体光电导效应的主要物理基础是？（）

A.电荷的惯性

B.晶格热振动

C.吸收光子产生载流子

D.费米能级的移动

9.在半导体器件中，P-N结的反向饱和电流主要是由什么形成的？（）

A.扩散电流

B.漂移电流

C.晶格缺陷电流

D.电极接触电流

10.能带理论成功地解释了为什么金属是导体而绝缘体是绝缘的？（）

A.金属的价带与导带重叠或只有小禁带宽度，绝缘体禁带宽度很大

B.金属的费米能级在导带中，绝缘体的费米能级在禁带中

C.金属有大量自由电子，绝缘体没有

D.金属晶体结构规整，绝缘体晶体结构混乱

二、填空题（每空2分，共30分。请将答案填在横线上）

1.半导体中，载流子的漂移运动是在__________作用下产生的，扩散运动是在__________作用下产生的。

2.能带理论是从量子力学的__________原理和__________原理出发，结合固体结构知识，推导出晶体中电子的能态分布。

3.对于N型半导体，其多数载流子是__________，少数载流子是__________。

4.P-N结的内建电场是由P区和N区内的__________扩散及空间电荷区的形成所建立的。

5.当P-N结施加正向电压时，耗尽层宽度将__________，结电势将__________。

6.当P-N结施加反向电压时，耗尽层宽度将__________，结电势将__________。

7.半导体中，载流子的迁移率定义为单位__________作用下载流子的平均漂移速度。

8.杂质能级位于导带底以下为__________能级，位于价带顶以上为__________能级。

9.空间电荷区（耗尽层）是指P-N结中，由于扩散导致__________被耗尽，而留下的带正电的__________区和带负电的__________区的区域。

10.费米-狄拉克分布函数描述了在__________下，单粒子量子态被电子占据的概率。

三、计算题（每题10分，共30分）

1.硅的禁带宽度Esubg/sub（300K）约为1.12eV。若一个电子从导带跃迁到价带，计算相应的光子能量和波长。假设光子能量等于电子的跃迁能量，且光在真空中的速度c=3×10sup8/supm/s，普朗克常数h=6.63×10sup-34/supJ·s。

2.某本征硅样品，在300K时，电子和空穴的迁移率分别为μsubn/sub=1400cmsup2/sup/V·s，μsubp/sub=450cmsup2/sup/V·s。计算该样品的电子浓度nsub0/sub和空穴浓度psub0/sub。硅的电子有效质量msubn/sub*≈0.92m