电磁兼容基础07 高频场耦合(3).pptVIP

P*7.1理想媒质中的平面波7.2导电媒质中的平面波7.3电磁波在分界面的反射和透射7.4波导第七讲高频场耦合(3)P*7.1理想媒质中的平面波平面电磁波：等相位面为平面的电磁波。均匀平面电磁波：等相位面上各点场强相等的平面电磁波。（1）与等相位面垂直的分量为零一组独立解另一组独立解设均匀平面波的等相位面与x轴垂直，则其电场、磁场分量可表示为:1、波动方程P*7.1理想媒质中的平面波2、场解选取第一组独立解:入射波（前向波）反射波（反向波）P*7.1理想媒质中的平面波3、传播规律3)电场分量振幅与磁场分量振幅的比值恒定,称为波阻抗,即:1)波的传播方向与等相位面垂直,能量的传播方向与波的传播方向一致。2)电场分量、磁场分量、波传播方向三者相互垂直，并呈右手螺旋关系。P*7.1理想媒质中的平面波4、时谐场解称为波数或相位常数2)电场分量与磁场分量同相位,且它们振幅的比值恒定,称为波阻抗。1)电场分量、磁场分量、波传播方向三者相互垂直，并呈右手螺旋关系。3)波的振幅与传播距离(x轴)无关，为等幅行波。时域形式：P*7.2导电媒质中的平面波1、电荷弛豫在导电媒质中，电荷密度、电流密度及电场强度三者之间的关系有：为导电媒质中自由电荷弛豫过程的时间常数在导电媒质中，由于电荷的弛豫（同性相互排斥），自由电荷体密度即使初始时存在，也会很快衰减到零（扩散到表面）。P*7.2导电媒质中的平面波2、波动方程在理想介质中，存在传导电流，而自由电荷密度近似为零，此时麦克斯韦方程的形式为：（波动方程）相量形式为：P*7.2导电媒质中的平面波2、波动方程在理想介质中，存在传导电流，而自由电荷密度为零。设均匀平面波的等相位面与x轴垂直，则其电场、磁场分量可表示为:（1）与等相位面垂直的分量为零一组独立解另一组独立解P*7.2导电媒质中的平面波3、场解和传播特性选取第一组独立解:其中:2.电场分量与磁场分量有相位差:4.电磁波沿其传播方向以函数衰减。3.色散性，传播速度与频率有关。1.E,H,传播方向三者仍相互垂直，并呈右手螺旋系关系。P*7.2导电媒质中的平面波4、波参数a)一般情况b)良导体情况:(传导电流远大于位移电流)c)良导体的透入深度透入深度是电磁波从导电媒质表面向其内部传播，衰减为表面值的1/e时所经过的离。透入深度P*7.3电磁波在分界面的反射和透射1、在理想导体表面的反射媒质1为理想介质，媒质2为理想导体，两种媒质的分界面为z=0的无限大平面。均匀平面波从媒质1沿z方向垂直入射到媒质2表面。由于理想导体中无电磁波，波将被完全反射回理想介质中。取图示坐标系，由于理想介质中既存在入射波又存在反射波，解的一般形式为由理想导体表面边界条件得1）媒质中的场为驻波场，电场和磁场相位垂直，电场峰值和磁场峰值均为入射波的2倍。2）在理想导体表面，反射波与入射波的电场分量抵消，总和为零，磁场分量相加，增大一倍。P*7.3电磁波在分界面的反射和透射2、在媒质分界面的反射和透射媒质1中，解的一般形式为由分界面两侧电场、磁场切向分量连续可得媒质2中，解的一般形式为反射系数透射系数P*7.3电磁波在分界面的反射和透射3、在媒质分界面的反射和透射媒质1中，解的一般形式为媒质2中，解的一般形式为媒质3中，解的一般形式为P*7.3电磁波在分界面的反射和透射3、在媒质分界面的反射和透射由分界面两侧电场、磁场切向分量连续可得媒质1和2的分界面上的反射系数可以得出，在以下两种情况下，上述反射系数为零，即?ef=?1）媒质1和媒质3的特性阻抗相同，且媒质2的厚度为媒质2中的电磁波长的一半。2）媒质1和媒质3的特性阻抗之间的关系满足下式，且媒质2的厚度为媒质2中的电磁波长的1/4。P*7.4波导通常，波导用来定向引导电磁波的结构，专指各种形状的空心金属波导管和表面波波导，前者将被传输的电磁波完全限制在金属管内，又称封闭波导；后者将引导的电磁波约束在波导结构的周围，又称开波导。当无线电波频率提高到3GHz至300GHz的厘米波波段和毫米波波段时，同轴线的使用受到限制而采用金属波导管或其他导波装置。波导管的优点是导体损耗和介质损耗小；功率容量大；没有辐射损耗。在毫米与亚毫米波段，因金属波导管的尺寸太小而使损耗加大和制造困难。这时使用表面波波导，除具有良好传输性外，主要优点是结构简单，制作容易，可具有集成电路需要的平面结构。表面波波导的主要形式有：介质线、介质镜像线、H-波导和镜像凹波导。在光波段，有光纤。