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材料物理习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分。请将正确选项的字母填在题后的括号内）

1.在晶体学中，描述晶体学点群的一个基本要素是（）。

A.对称操作B.晶胞参数C.晶体缺陷D.粒子排列

2.晶体密排面指数(hkl)对应的晶面族中，面间距最小的是（）。

A.(111)B.(200)C.(220)D.(331)

3.金属晶体中，位错线方向与柏氏矢量（b）的关系是（）。

A.平行B.垂直C.成任意角度D.互相垂直

4.点缺陷中，通常对材料导电性贡献较大的是（）。

A.空位B.间隙原子C.替代原子D.位错

5.金属发生塑性变形的主要机制是（）。

A.晶体滑移B.晶体旋转C.相变D.空位扩散

6.对于理想刚体力学的各向同性体，其弹性模量E与剪切模量G的关系为（）。

A.E=GB.E=2GC.E=G/2D.E=3G

7.下列材料中，通常具有最低熔点的是（）。

A.金属B.陶瓷C.高分子D.复合材料

8.材料的硬度通常是指（）。

A.材料抵抗变形的能力B.材料抵抗断裂的能力C.材料抵抗磨损的能力D.材料抵抗腐蚀的能力

9.下列哪种现象不是材料疲劳的表现？（）。

A.韧性断裂B.蠕变C.蠕变断裂D.蠕变

10.下列哪种因素不会显著影响金属的疲劳强度？（）。

A.应力集中B.温度C.润滑条件D.材料纯度

二、填空题（每空1分，共15分。请将答案填在题后的横线上）

1.晶体学中，描述晶体空间点阵的对称性的基本要素包括______、______和______。

2.晶体学中，Miller指数(hkl)是指平行于晶面族的法线方向指数的______。

3.位错密度是描述______的物理量，单位为______。

4.点缺陷中，______是指晶体中原子缺失的位置，______是指晶格间隙中溶入的原子。

5.金属塑性变形过程中，位错运动的主要障碍是______和______。

6.根据胡克定律，弹性模量E是应力与______的比值。

7.陶瓷材料的强度通常比金属高，主要原因是其具有______和______。

8.高分子材料的主要力学性能特点是______、______和______。

9.复合材料的性能通常比其组分材料具有______。

三、简答题（每题5分，共30分。请将答案写在题后的横线上或指定位置）

1.简述晶体结构与晶体缺陷对材料性能的影响。

2.简述位错的定义、类型及其对金属性能的影响。

3.简述金属材料塑性变形的机制。

4.简述金属材料强度的主要影响因素。

5.简述陶瓷材料与金属材料在性能上的主要差异。

6.简述高分子材料的主要特点及其应用领域。

四、计算题（每题10分，共40分。请将计算过程和答案写在题后的横线上或指定位置）

1.已知面心立方（FCC）金属的晶格常数为a=0.3615nm，计算(111)晶面的面间距d111。

2.已知某金属的屈服强度σs=200MPa，泊松比ν=0.3，弹性模量E=70GPa。计算其横向应变。

3.已知某金属材料在常温下的位错线密度ρ=10^6m^-2，位错柏氏矢量b=0.25nm。计算其位错总长度。

4.已知某金属材料在承受循环载荷时的疲劳极限σf=300MPa，平均应力σm=100MPa。计算其应力比R。

试卷答案

一、选择题（每题2分，共20分。请将正确选项的字母填在题后的括号内）

1.A(晶体学点群由对称操作定义)

2.B((hkl)面族中，指数和越小，面间距越大，(200)的指数和为2，最小)

3.A(位错线方向与柏氏矢量平行)

4.A(空位能提供自由电子，对导电性贡献较大)

5.A(金属塑性变形主要通过位错滑移实现)

6.B(E=2G(1+ν)，对于各向同性体ν≈0.3，则E≈2G)

7.C(高分子材料通常具有最低熔点)

8.A(硬度通常指抵抗局部变形的能力，如压入硬度)

9.A(韧性断裂是材料在较大变形下断裂，不是疲劳特征)

10.D(材料纯度对疲劳强度影响相对较小，应力集中、温度、润滑条件影响显著)

二、填空题（每空1分，共15分。请将答案填在题后的横线上）

1.对称操作；对称要素；对称律

2.倒数的

3.位错存在密度；米/平方米(或