CN119297083A 深宽比依赖性降低的选择性蚀刻的方法 （朗姆研究公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119297083A(43)申请公布日2025.01.10

(21)申请号202411183451.3

(22)申请日2017.09.27

(30)优先权数据

15/290,8002016.10.11US

(62)分案原申请数据

201780062967.42017.09.27

(74)专利代理机构上海胜康律师事务所31263专利代理师李献忠张华

(51)Int.CI.

H01L21/311(2006.01)

H01L21/3065(2006.01)

H01J37/32(2006.01)

(71)申请人朗姆研究公司

地址美国加利福尼亚州

(72)发明人阿达什·巴萨瓦林加帕王彭巴斯卡·纳加布海拉瓦

迈克尔·葛斯

普拉帕格拉·卡帕拉达苏

伦道夫·科纳尔斯蒂芬·施米茨

菲尔·弗里德尔

权利要求书2页说明书6页附图7页

(54)发明名称

深宽比依赖性降低的选择性蚀刻的方法

(57)摘要

CN119297083A提供了一种相对于掩模选择性蚀刻蚀刻层的方法。提供包括多个蚀刻循环的蚀刻工艺，其中每个蚀刻循环包括：提供沉积阶段和蚀刻阶段。所述沉积阶段包括：提供沉积阶段气体流，所述沉积阶段气体包含具有碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率的含碳氟化合物或氢氟烃的气体和含氧气体；提供RF功率，其使所述沉积阶段气体形成等离子体；以及停止所述沉积阶段。所述蚀刻阶段包括：提供蚀刻阶段气体流，所述蚀刻阶段气体包含具有比所述沉积阶段气体的所述碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率低的碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率的含碳氟化合物或氢氟烃的气体和含氧气体；提供

CN119297083A

开始

开始

在蚀刻层内在掩模下形成鳍结构

104

湿法和干法蚀刻

108

干法蚀刻112湿法蚀刻116

处理鳍结构

120

停止

CN119297083A权利要求书1/2页

2

1.一种在处理室中相对于掩模选择性蚀刻具有隔离区域和密集区域的蚀刻层的方法，其包括：

提供包括多个蚀刻循环的干法蚀刻工艺，其中所述干法蚀刻工艺以相同速率部分地蚀刻所述蚀刻层的所述隔离区域和密集区域至相同的目标深度，并且其中所述干法蚀刻工艺的每个蚀刻循环包括：

提供沉积阶段，其包括：

提供沉积阶段气体流到所述处理室内，所述沉积阶段气体包含具有碳氟化合物或氢氟

烃与氧的比率的含碳氟化合物或氢氟烃的气体和含氧气体；提供RF功率，其使所述沉积阶段气体形成等离子体；以及停止所述沉积阶段；并且

提供蚀刻阶段，其包括：

提供蚀刻阶段气体流到所述处理室中，所述蚀刻阶段气体包含具有与所述沉积阶段气体的所述碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率不同的碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率的含碳氟化合物或氢氟烃的气体和含氧气体；

提供RF功率，其中所述RF功率使所述蚀刻阶段气体形成等离子体，并且其中所述在所述蚀刻期间提供的所述RF功率大于在所述沉积期间提供的所述RF功率；以及

停止所述蚀刻阶段。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述蚀刻阶段期间提供偏置，其中所述蚀刻阶段期间提供所述偏置比在所述沉积阶段期间提供的偏置高。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻阶段气体包含CF?、C?F?、0?或Ar中的至少一种，并且其中所述沉积阶段气体至少包含C?F?和含氧气体。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻层包含氧化硅。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述掩模是含硅掩膜。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻部分地蚀刻所述蚀刻层到目标深度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述干法蚀刻工艺相对于所述蚀刻层选择性地在所述掩模上沉积聚合物。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻阶段还包括提供RF频率小于10MHz的偏置RF功率，其中所述沉积阶段不具有RF频率小于10MHz的RF偏置RF功率。

9.根据权利要求1所述的方法，其还包括提供湿法工艺以去除由所述干法蚀刻工艺形成的残留物。

10.根据权利要求1所述的方法，其还包括提供湿法工艺以去除由所述干法蚀刻工艺形成的锥形。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻阶段气体的碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率比所述沉积阶段气体的所述碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率低。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述掩膜包含氮化硅。

13.根据权利要求