CN120302776A 一种改善AlGaInP红光Micro LED芯片散热性能的方法 （微玖(苏州)光电科技有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120302776A

(43)申请公布日2025.07.11

(21)申请号202510775235.6H10H20/841(2025.01)

H10H20/824(2025.01)

(22)申请日2025.06.11

C30B25/18(2006.01)

(71)申请人微玖（苏州）光电科技有限公司C30B29/68(2006.01)

地址215000江苏省苏州市工业园区双溇

C30B29/40(2006.01)

里路3号合木·传奇大厦816室C30B29/42(2006.01)

(72)发明人黄振钟冠伦方其超王月

王程功郑鹏远张宇

(74)专利代理机构苏州翔远专利代理事务所

(普通合伙)32251

专利代理师阮俊敏

(51)Int.Cl.

H10H20/01(2025.01)

H10H20/812(2025.01)

H10H20/816(2025.01)

H10H20/825(2025.01)

权利要求书2页说明书12页附图7页

(54)发明名称

一种改善AlGaInP红光MicroLED芯片散热

性能的方法

(57)摘要

本申请公开了一种改善AlGaInP红光Micro

LED芯片散热性能的方法，包括如下步骤：S1，外

延结构制备：衬底与缓冲层处理、刻蚀阻挡层与

欧姆接触层生长、功能层堆叠外延；S2，硅基衬底

图形化：介质层与金属结构制备；S3,金刚石欧姆

接触层集成：p型导电金刚石膜层加工、金属反射

与键合；S4,衬底去除与n型结构形成：衬底剥离

与n型接触；S5,后段工艺集成：电极与光学结构

制备；本申请的芯片散热性能显著提升；串联电

阻降低30%‑50%；p/n型金刚石欧姆接触层电阻率

较ITO降低1‑2个数量级；避免了GaAs材料吸光与

A金属遮光，结合微透镜阵列，红光透过率从75%提

6升至90%以上；兼容现有MOCVD、CVD及光刻工艺，

7

7

2可实现2‑12寸晶圆规模化生产，降低制造成本。

0

3

0

2

1

N

C

CN120302776A权利要求书1/2页

1.一种改善AlGaInP红光Micro

LED芯片散热性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1,外延结构制备：

衬底与缓冲层处理：选用n型GaAs衬底，清洗后通过MOCVD外延生长n型GaAs缓冲层，控

制掺杂浓度、厚度及温度；

刻蚀阻挡层与欧姆接触层生长：在缓冲层上外延生长n型刻蚀阻挡层，

随后通过MOCVD生长n型GaN/InGaN欧姆接触层；

功能层堆叠外延：在欧姆接触层上依次外延生长n型AlInP限制层、n型超晶格结构、非

掺杂间隔层、量子阱结构、p型间隔层、p型限制层、p型超晶格、p型渐变层及p型重掺杂层，精

确控制各层参数；

S2，硅基衬底图形化：

介质层与金属结构