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半导体物理课后习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（请将正确选项的字母填在题后的括号内。每小题3分，共30分）

1.在周期性势场中，电子的波函数（）。

(A)必须满足薛定谔方程

(B)必须是单色的

(C)必须是无限长的周期性函数

(D)必须满足边界条件

2.按照能带理论，下列哪种材料是绝缘体？（）

(A)硅（Si）

(B)锗（Ge）

(C)金刚石（C）

(D)钠（Na）

3.对于本征半导体，下列哪个量在温度升高时增大？（）

(A)空穴浓度

(B)本征载流子浓度

(C)电子迁移率

(D)能隙宽度

4.在N型半导体中，少数载流子主要是（）。

(A)电子

(B)空穴

(C)自由电子和空穴

(D)杂质离子

5.当温度升高时，半导体材料的电导率通常（）。

(A)增加

(B)减小

(C)不变

(D)先增后减

6.在导带中，电子的有效质量通常（）。

(A)大于静止质量

(B)小于静止质量

(C)等于静止质量

(D)为负值

7.p-n结在热平衡状态下，其耗尽层内（）。

(A)只有电子

(B)只有空穴

(C)电子和空穴都被耗尽

(D)存在大量的电子和空穴

8.对于理想p-n结，其零偏压时的内建电场方向是（）。

(A)从N区指向P区

(B)从P区指向N区

(C)等于零

(D)垂直于结界面

9.当光照照射到半导体p-n结上时，会产生（）。

(A)光生电势

(B)电流

(C)光生载流子

(D)以上都是

10.晶体管的放大作用是基于（）。

(A)半导体的光电效应

(B)半导体的热电效应

(C)半导体中载流子的扩散和漂移

(D)半导体的超导特性

二、填空题（请将答案填在横线上。每空2分，共20分）

1.晶体周期性势场使得电子的波函数具有________的特性。

2.能带理论认为，晶体中电子的能级分裂成一系列________和________。

3.本征半导体的能隙中不存在________。

4.空穴可以看作是带________电荷的准粒子，其运动是带负电的电子运动的________。

5.半导体的电导率与其载流子浓度和________成正比。

6.耗尽层是指p-n结两侧，内电场将________和________大部分推离结区的区域。

7.当外加电压大于p-n结的内建电势时，结处于________状态。

8.载流子在电场作用下定向运动形成的电流称为________电流。

9.统计物理学中的费米-狄拉克分布描述了________能级上粒子占据的概率。

10.在半导体中，载流子的漂移运动是由于________作用引起的。

三、简答题（请简明扼要地回答下列问题。每题5分，共20分）

1.简述能带形成的主要原因。

2.解释什么是半导体中的“有效质量”。

3.描述p-n结形成的物理过程。

4.简述影响半导体材料本征载流子浓度的因素。

四、计算题（请列出必要的公式、代入数据及计算过程。每题10分，共40分）

1.硅（Si）的能隙宽度为1.12eV。计算在300K时，本征载流子浓度n_i是多少？（需写出表达式和计算步骤，可使用kT≈0.0259eV在300K时）

2.某N型锗（Ge）样品，掺杂浓度N_D=10^21cm^-3。假设电子在导带中的迁移率μ_n=3800cm^2/V·s，空穴在价带中的迁移率μ_p=1900cm^2/V·s。计算该样品在室温（300K）下的电导率σ。（需写出表达式和计算步骤）

3.一个理想的p-n结，在室温下测得内建电势V_bi=0.7V。若在结上施加一个2V的正偏压，计算此时耗尽层宽度将如何变化？（需说明变化趋势及原因）

4.电子在电场E=1000V/m的均匀电场中做漂移运动，其有效质量m*=0.1m_e(m_e为电子静止质量)。计算该电子的漂移速度v_d是多少？（需写出表达式和计算步骤，可使用m_e=9.11×10^-31kg）

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试卷答案

一、选择题

1.(A)

2.(C)

3