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CMOS传感器性能剖析及其在CEPC中的前沿应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，图像传感器在现代电子设备中扮演着愈发重要的角色，广泛应用于数码相机、智能手机、安防监控、工业检测、航空航天等诸多领域。CMOS（ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor，互补金属氧化物半导体）传感器作为图像传感器的重要类型，凭借其低功耗、集成度高、成本相对较低等显著优势，在过去几十年间取得了迅猛发展。

回溯CMOS传感器的发展历程，20世纪70年代，美国航空航天局（NASA）的喷气推进实验室（JPL）首次成功制造出CMOS图像传感器，然而当时由于性能尚不完善、图像质量欠佳，其发展和应用受到了极大制约。到了20世纪90年代，CMOS开始采用有源像素结构，逐步克服了原有的缺点，1993年JPL制造出第一块CMOS有源像素传感器，自此有源像素CMOS图像传感器逐渐成为市场主流。此后，新型结构的CMOS数字像素图像传感器不断涌现，使其能够在像元内进行模数转换，进一步推动了CMOS传感器技术的发展。截至2020年，全球CMOS图像传感器市场规模持续增长，2016-2020年出货量和销售额分别增长至77.2亿颗和179.1亿美元，在民用消费电子市场中，CMOS传感器凭借低成本、设计简单、尺寸小、功耗低、高集成度等优势迅速取代了CCD图像传感器。

在高能物理实验领域，对探测器性能的要求极为严苛，需要其具备高分辨率、高灵敏度、低噪声以及良好的抗辐照性能等。中国提出的环形正负电子对撞机（CEPC，CircularElectronPositronCollider）是一项极具前瞻性的大科学装置，旨在精确测量希格斯粒子的基本属性，并通过希格斯探索超出标准模型的新物理。CEPC实验探测器中的顶点探测器作为核心器件，需要运用最前沿的硅像素探测器技术来建造，以实现高位置分辨率、高读出速率、低功耗，同时还应具备优异的抗辐照性能。CMOS硅像素探测器由于能够将灵敏探测区域和前端读出电子学直接集成到相同硅基衬底上，在制作高分辨率和低物质量的硅探测器方面具有独特优势，因此成为CEPC顶点探测器的理想选择之一。

深入研究CMOS传感器性能并探索其在CEPC上的应用，具有重大的现实意义和科学价值。一方面，有助于提升CMOS传感器自身的性能，使其能够更好地满足CEPC等高能物理实验对探测器的严苛要求，为实验的顺利开展提供坚实的技术支撑；另一方面，通过在CEPC这样的极端环境下应用CMOS传感器，能够进一步拓展其应用领域，推动相关技术的创新与发展，带动整个图像传感器行业的技术进步，为其他领域的应用提供更先进的技术和产品。

1.2国内外研究现状

在CMOS传感器性能研究方面，国内外科研人员和企业均投入了大量资源，取得了丰硕成果。国外在CMOS传感器技术研发上起步较早，一直处于领先地位。索尼、三星、豪威科技等国际知名企业在CMOS传感器领域占据重要市场份额，不断推出高性能的产品。例如，索尼在背照式（BSI，Back-SideIllumination）和堆栈式（Stacked）CMOS传感器技术方面处于行业前沿，其研发的传感器在像素提升与尺寸优化、动态范围与低光性能、高速读取与全局快门等关键技术指标上表现出色，被广泛应用于高端智能手机、数码相机等产品中。三星则在CMOS传感器的智能化与集成化方面进行了大量探索，通过集成AI处理单元，实现了更智能的摄影体验。此外，国外科研机构如美国的一些高校和研究中心，在CMOS传感器的新材料应用、新型像素结构设计等基础研究方面也取得了显著进展，为技术的持续创新奠定了理论基础。

国内CMOS传感器产业近年来发展迅速，韦尔股份（旗下拥有豪威科技）、格科微、思特威等企业在市场中崭露头角，不断缩小与国际先进水平的差距。国内企业在中低端市场占据一定份额，并逐渐向高端市场迈进。例如，思特威推出的多款高分辨率图像传感器，基于其自主研发的工艺技术，具备高感度、高动态范围、高温成像、低功耗等优势性能，在安防监控和消费类IoT应用领域表现优异。同时，国内高校和科研院所如清华大学、中国科学院等也在积极开展CMOS传感器相关研究，在像素结构优化、电路设计改进、信号处理算法等方面取得了一系列成果，为产业发展提供了技术支持。

在CMOS传感器在高能物理领域的应用方面，国际上已有多个实验项目进行了相关探索。例如，大型强子对撞机（LHC，LargeHadronCollider）上的一些实验探测器采用了硅像素探测器技术，其中部分涉及CMOS传感器的应用，在高辐射环