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极紫外光刻掩模：精准建模与缺陷补偿策略的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代信息技术飞速发展的浪潮中，半导体芯片作为各类电子设备的核心部件，其性能的不断提升对于推动信息技术的进步起着至关重要的作用。而极紫外光刻（ExtremeUltravioletLithography，EUVL）技术作为目前最先进的光刻技术之一，已成为实现芯片特征尺寸不断缩小、性能持续提升的关键手段，在芯片制造领域占据着举足轻重的地位。

随着摩尔定律的不断推进，芯片制造工艺对光刻技术的分辨率要求越来越高。传统的深紫外光刻技术由于波长的限制，逐渐难以满足日益增长的高精度光刻需求。极紫外光刻技术使用波长约为1