DB31_T 1648-2025 元器件抗辐射性能评估指南.docxVIP

ICS49.020

CCSV20/2931

上海市地方标准

DB31/T1648—2025

元器件抗辐射性能评估指南

Guidelineforanti-radiationcapacityassessmentofcomponents

2025-12-23发布2026-04-01实施

上海市市场监督管理局发布

I

DB31/T1648—2025

目次

前言 Ⅱ

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4元器件抗辐射性能评估 1

4.1元器件选用 1

4.2电子元器件辐射敏感性分析 2

4.3基于数据的抗辐射性能分析 2

4.4抗辐射性能评估试验 3

5试验结果应用 3

6抗辐射加固设计 3

6.1抗电离总剂量效应加固设计 3

6.2抗单粒子效应加固设计 3

6.3抗位移效应加固设计 4

附录A（资料性）元器件空间辐射效应敏感性分类 5

附录B（资料性）元器件抗辐射性能评估地面模拟试验装置 7

参考文献 8

II

DB31/T1648—2025

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由上海市经济和信息化委员会提出并组织实施。

本文件由上海市航天工业标准化技术委员会归口。

本文件起草单位：上海航天技术基础研究所、上海电机学院。

本文件主要起草人：马林东、刘元、琚安安、汪波、秦林生、孔泽斌、祝伟明、王昆黍、黄超、刘伟亮。

DB31/T1648—2025

1

元器件抗辐射性能评估指南

1范围

本文件规定了空间飞行器用元器件抗辐射性能评估的元器件选用、分析、试验，以及试验结果应用和抗辐射加固设计。

本文件适用于空间飞行器用电子元器件的抗辐射性能评估。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GJB128A—1997

半导体分立器件试验方法

GJB548C—2021

微电子器件试验方法和程序

GJB762.1—1989

半导体器件辐射加固试验方法中子辐照试验

GJB7242—2011

单粒子效应试验方法和程序

GJB8118—2013

军用电子元器件分类与代码

QJ10004A—2018

宇航用半导体器件总剂量辐照试验方法

QJ10005A—2018

宇航用半导体器件重离子单粒子效应试验指南

QJ20009—2012

宇航用光电器件位移损伤试验方法

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

电离总剂量效应totalionizingdoseeffect

因辐射与物质相互作用产生电子-空穴对，导致辐射损伤的现象。

[来源：QJ10004A—2018，3.1]

3.2

单粒子效应single-eventeffect

单个高能粒子作用于器件所引发的翻转、锁定、烧毁、栅穿等现象。

[来源：GJB7242—2011，3.1]

3.3

位移损伤效应displacementdamageeffect

粒子在材料中通过弹性或非弹性碰撞导致材料晶格结构损伤导致的辐射损伤现象。

4元器件抗辐射性能评估

4.1元器件选用

DB31/T1648—2025

2

选择有加固指标的元器件或在其它宇航型号上有应用经历的元器件，在无法确定元器件抗辐射指标的情况下，选择有故障分析服务的器件或者内部结构已知的器件。

4.2电子元器件辐射敏感性分析

常见的电容器、电阻器、电连接器、滤波器、微波元件、低频电线电缆等无源元器件一般可以认为对空间辐射效应免疫，可以直接选用。

常见的半导体集成电路、半导体分立器件、光电子器件等器件及射频线缆属于空间辐射效应敏感元器件，辐射效应敏感类型见附录A。

4.3基于数据的抗辐射性能分析

4.3.1基于飞行经历的抗辐射性能分析

若元器件无飞行经历，且无明确抗辐射指标，可以按照表1中现行标准开展辐