P沟道MOSFET-30V-14.5A-7.8mΩ_电源管理与负载切换应用.pdfVIP

2009年7月

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FDS6673BZF085

P‑ChannelPowerTrench®MOSFET

‑30V，‑14.5A，7.8mΩ

一般描述特性

此P沟道MOSFET是使用FairchildSemiconductor的先=7=

◼最大rDS(on).8mΩ,VGS‑10V,ID=‑14.5A最大

进PowerTrench工艺制造的，该工艺特别针对最小化导通rDS(on)=12mΩ,VGS=‑4.5V,ID=‑12A扩展的

电阻进行了优化。VGS范围（‑25V）适用于电池应用HBMESD保护等级

典型值为6.5kV（注3）高性能沟槽技术实现极低的

rDS(on)高功率和电流处理能力

此设备非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源

管理和负载切换应用。

◼符合RoHS

◼符合AECQ101

D

D54

D

D63

72

G

S

SO-8SS81

MOSFET最大额定值TA=25°C（除非另有说明）

符号参数单位

VDS漏极到源极电压-30V

VGS栅极到源极电压±25V

漏极电流‑连续（注1a）-14.5A

ID

‑脉冲-75A

单个操作的功率耗散（注1a）2.5

PD（注1b）1.2W

（注1c）1.0

TJ,TSTG工作和温度