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半导体纳米结构：制备工艺与物性特征的多维探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技发展的浪潮中，半导体纳米结构凭借其独特的物理性质和广泛的应用前景，已成为材料科学和凝聚态物理领域的研究热点。半导体纳米结构，是指尺寸在纳米量级（1-100nm）的半导体材料体系，其在光、电、磁等方面展现出与传统块体半导体截然不同的特性。

从理论层面来看，当半导体材料的尺寸进入纳米尺度时，量子限域效应、表面效应和小尺寸效应等变得显著。量子限域效应使得电子和空穴的运动受限，导致能级离散化，如同将电子和空穴禁锢在一个微小的“量子牢笼”中，从而使材料的光学和电学性质发生根本性改变。表面效应则是由于纳米结