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集成电路技术综合练习试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题

1.在半导体中，载流子主要来源于（）。

A.掺杂元素

B.本征激发

C.热激发

D.A和B

2.PN结正向偏置时，其主要特性是（）。

A.扩散电流远大于漂移电流，结电阻很小

B.漂移电流远大于扩散电流，结电阻很大

C.扩散电流和漂移电流相等，结电阻中等

D.扩散电流和漂移电流均消失，结电阻无限大

3.对于N沟道增强型MOSFET，其开启电压（Vth）的定义是（）。

A.栅源电压使漏源电流开始显著增加时的电压

B.栅源电压使漏源电流达到最大值时的电压

C.栅源电压使栅极对源极的电容最大时的电压

D.栅源电压为零时，漏源之间的反向电流

4.在CMOS反相器中，当输入电压处于高电平（VDD）和低电平（0V）之间切换时，为了保证输出稳定且功耗最小，要求（）。

A.PMOS管先导通，NMOS管先关断

B.NMOS管先导通，PMOS管先关断

C.PMOS管和NMOS管同时导通和关断

D.PMOS管和NMOS管交替快速开关

5.集成电路制造过程中，扩散工艺的主要目的是（）。

A.在硅片表面形成金属互连线

B.在硅片上形成导电的欧姆接触

C.形成具有特定掺杂浓度的有源区（源极、漏极、栅极氧化层）

D.清洗和去除硅片表面的杂质

6.耗尽型MOSFET与增强型MOSFET相比，其特点是（）。

A.需要正栅压才能开启

B.需要负栅压才能开启

C.无论正负栅压都能导通

D.必须零栅压才能导通

7.在集成电路版图设计中，电源网络和地网络通常需要（）。

A.最小线宽和最小线距

B.最大线宽和最小线距

C.最小线宽和最大线距

D.最大线宽和最大线距

8.以下哪个参数是衡量放大电路放大能力的重要指标？（）

A.输入阻抗

B.输出阻抗

C.电压增益（Av）

D.跨导（gm）

9.互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的最大优势之一是（）。

A.制造工艺简单

B.功耗低（静态功耗极小）

C.器件尺寸小

D.开关速度极快

10.集成电路的可靠性通常受到哪些因素的影响？（）

A.工艺缺陷、环境温度、湿度、机械应力

B.设计复杂度、成本、尺寸大小

C.材料纯度、封装方式、运输方式

D.以上所有

二、填空题

1.半导体中的少数载流子主要是通过______产生的，多数载流子主要来源于______。

2.PN结加反向电压时，耗尽层______，反向电流主要由______形成，且通常很小。

3.MOSFET的输出特性曲线可以分为______区、______区和______区。

4.在CMOS反相器中，连接到电源VDD的MOSFET称为______管，连接到地GND的MOSFET称为______管。

5.集成电路制造过程中，常用的光刻工艺是利用______照射光刻胶，将图形转移到硅片上。

6.工艺参数的______（如温度、掺杂浓度）的波动会对MOSFET的电气特性产生显著影响，这是集成电路设计需要考虑的重要因素。

7.放大电路通常需要具有合适的______和______，以实现信号的有效放大。

8.在多级放大电路中，后一级的输入阻抗会影响前一级的______。

9.集成电路封装的主要目的是______、______和提供机械保护。

10.衡量半导体器件对输入信号变化敏感程度的参数是______。

三、判断题

1.本征半导体的导电能力不受温度影响。（）

2.二极管的正向压降在正向电流较大时基本保持不变。（）

3.对于增强型NMOSFET，当VGSVth时，器件一定处于关断状态。（）

4.MOSFET的跨导（gm）越大，其放大能力越强。（）

5.CMOS逻辑门电路中，静态功耗几乎为零。（）

6.集成电路制造是一个分步进行的过程，后续工艺不能改变前面工艺形成的结构。（）

7.版图设计中，不同金属层之间必须有足够的线距，以防止短路。（）

8.任何放大电路都能将输入信号的所有能量放大。（）

9.噪声系数是衡量放大电路性能的重要指标，表示输入信号功率与输出信号功率的比值。（）

10.集成电路的集成度越高，意味着单个