功率半导体器件原理及设计课件 第6--10章 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）-- MOS控制晶闸管（MCT） .pptx

功率半导体器件Ch6绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT)

2绝缘栅双极型晶体管IGBTIGBT是由VDMOS派生而来的:将漏极(衬底)n+区改为p+区VDMOS在漏极增加一个PN结IGBT漏极D?集电极C；源极S?发射极E；而具有MOS结构的栅极G保持不变。简介工作模式：单极?双极由p+集电区向n-漂移区注入空穴,引入电导调制,因此Ron??UCESat?,同时由于有少子注入,使其开关速度降低。IGBT要解决的主要问题是：在保证有良好的通态特性提前下,尽量提高开关速度和阻断能力。(+)(-)(+)

3IGBT芯片与封